從2026 VLSI-TSA看未來半導體技術發展趨勢
- 2026/06/16
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2026 VLSI-TSA國際研討會展現了半導體技術由傳統製程微縮正邁向「AI×先進製程×系統整合」的新紀元。面對後摩爾時代的物理瓶頸,本屆會議聚焦於AI晶片與架構、先進製程、次世代記憶體、高頻通訊、異質整合與生醫...
2026 VLSI-TSA國際研討會展現了半導體技術由傳統製程微縮正邁向「AI×先進製程×系統整合」的新紀元。面對後摩爾時代的物理瓶頸,本屆會議聚焦於AI晶片與架構、先進製程、次世代記憶體、高頻通訊、異質整合與生醫...
半導體元件結構隨著摩爾定律推進,已由平面微縮全面轉向垂直三維堆疊,致使薄膜沉積技術從製程輔助角色,躍升為與微影技術同等重要的核心關鍵。化學氣相沉積CVD憑藉高速成膜優勢與量產效益,持續在厚膜絕緣與大體積填充製程中扮演核心地位。相對而言,原...
由於中國的人工智慧發展快速,甚至在某些領域已對美國產生威脅性,因此美國在2019年與2021年的《美國人工智慧倡議》與《國家人工智慧安全委員會報告》中,皆指出美國需優先推動人工智慧發展,確保美國於人工智慧領域的領先地位,以贏得這場與中國的...
因應AI、自駕車、AR/VR等創新需求的成長,無線通訊技術規格也隨之演進,目前B5G,乃至於6G的技術,從規格到未來的硬體規劃,都在逐步的討論與建構當中,其中隨著B5G/6G的技術發展,凸顯了高頻通訊用射頻元件的技術需求。未來由B5G/6...
氧化鎵Ga2O3因具有更寬的能隙表現、較易生產的製程條件,成為繼GaN、SiC後討論熱度最高的下世代高頻、高功率半導體材料,目前Ga2O3半導體應用以功率元件為主,鎖定成長快速的電動車市場,日本NCT、Flosfia為全球商用進度領先的業...
自3G進入4G以來,通訊技術取得顯著進步,為串流和共享經濟等領域提供強大支援,推動相關行業蓬勃發展。然而,隨著人們對即時性的渴求不斷攀升,4G已難以滿足AI、自動駕駛、物聯網等新興領域對更低延遲通訊的需求。在這背景下,5G技術應運而生,以...
夾著高導熱率、高度電絕緣性、耐腐蝕與高純度,以及理想的熱膨脹係數(CTE)等幾個關鍵要素,使得氮化鋁基板在當今高頻與高功率電子元件及模組構裝應用成為被關注的焦點,然而,氮化鋁基板在區域市場的表現與當地下游應用重點息息相關,本文將針對氮化鋁...
中國對於全球礦業原物料的掌控已是鋪天蓋地,無所不在。在近年來飽受美國在半導體製造上的封鎖後,終於挾其本身原物料的高度優勢,正面的在半導體領域上,對美國進行反擊。掌控全球98%的鎵與90%的鍺,能夠逼美國、日本、荷蘭鬆手嗎? 另一方面,雖...
化合物半導體中的氮化鎵(GaN)應用不僅在通訊、同時在高功率都是屬於關鍵材料,並且各有各的利基市場,全世界各強權國家均將化合物半導體列為軍事防衛及太空發展之重要管制的戰略物資,可見其重要性。在國際情勢詭譎多變以及疫情的影響下,在半導體產業...