i卡會員

寬能隙半導體與功率元件製造設備崛起： 氮化鎵、碳化矽的市場分析與產業趨勢

• 2023/06/06
• 157
• 12

本文探討寬能隙半導體材料市場潛力，碳化矽與氮化鎵功率元件成功普及。碳化矽、氮化鎵基板挑戰矽基半導體地位。氮化鎵磊晶基板製造技術進步，企業競爭力依賴矽基板氮化鎵磊晶層與自家元件整合。氮化鎵單晶基板朝大尺寸實用化與研發邁進。碳化矽元件市場需求...

釋放GaN的更多可能性: 探索新基板的專利技術

• 2023/05/15
• 276
• 17

化合物半導體的產業變化日新月異，一片大好的SiC市場，卻因Tesla宣布將削減SiC 75%用量而攪動一池春水。不似SiC只用於功率元件，GaN在高頻與高功率元件上有著二刀流的實力，不過功率元件的那把刀似乎就比SiC手上的那把短了一些。新...

開創前瞻科技，先由寬能隙半導體晶圓開始：切片設備的發展趨勢

• 2023/03/10
• 321
• 13

本文探討寬能隙半導體材料在新能源政策推廣下的重要性，以及在半導體上游製程中，切片設備在生產中的應用。切片設備是將整塊晶體切割成許多個晶圓以實現大規模生產的關鍵設備。本文整理目前國內外寬能隙半導體材料的加工現狀，包括重點說明游離磨料線切割、...

化合物半導體主要廠商技術及產品進展現況

• 2022/12/21
• 1292
• 69

近年來隨著5G基地台、電動車、充電樁、伺服器等產業迅速發展，高頻、高功率半導體元件及IC需求大幅增長；而高效能、低能耗的碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角。各主要大廠也針對其專長領域推出其產品，本文將主要廠...

各國化合物半導體政策分析

• 2022/09/29
• 1560
• 71

第三類化合物半導體材料具有寬能隙等重要特性，因此具有耐高電壓、耐高溫及高頻率等優良特性，可因應電動車、綠能、5G基站、雷達及快充等終端應用趨勢。近年來在碳中和與淨零排放的趨勢下，第三類化合物半導體的高能源轉換效率及節能效果，讓各國注意到化...

化合物半導體砷化鎵的應用現況與未來

• 2022/07/05
• 1746
• 64

眾所周知，化合物半導體應用在通訊不僅是屬於利基市場且為關鍵材料，全世界各強權國家均將化合物半導體列為軍事防衛及太空發展之重要管制的戰略物資，可見其重要性。在國際情勢詭譎多變以及疫情的影響下，不論在半導體或是在化合物半導體產業的發展，我國的...

LED光源新興關鍵技術(二)

• 2007/12/14
• 1860
• 56

非極性氮化鎵發光二極體(Non-Polar GaN LED)AC LED技術發展

LED光源新興關鍵技術-氮化鎵基板、螢光粉

• 2007/11/29
• 2911
• 50

LED技術發展趨勢

• 2007/10/31
• 1823
• 32

無極性氮化鎵磊晶技術

• 2007/07/17
• 2601
• 11

一、LED技術發展瓶頸 二、無極性LED技術誕生 三、無極性LED技術所掀起漣漪效益

氮化鎵（GaN）LED的應用市場趨勢

• 2000/05/31
• 3341
• 528