2026臺灣被動元件產業市場現況與發展趨勢分析
- 2026/10/01
- 1832
- 35
2025年開始,臺灣被動元件產業之成長動能轉向AI伺服器與資料中心基礎設施投資所帶動的高階應用需求,使臺灣被動元件產業進入新一波產品結構升級階段,預期臺灣被動元件產業成長力道可望進一步擴大。透過本文,將帶你了解2026年臺灣被動元件產業之...
2025年開始,臺灣被動元件產業之成長動能轉向AI伺服器與資料中心基礎設施投資所帶動的高階應用需求,使臺灣被動元件產業進入新一波產品結構升級階段,預期臺灣被動元件產業成長力道可望進一步擴大。透過本文,將帶你了解2026年臺灣被動元件產業之...
夾著高導熱率、高度電絕緣性、耐腐蝕與高純度,以及理想的熱膨脹係數(CTE)等幾個關鍵要素,使得氮化鋁基板在當今高頻與高功率電子元件及模組構裝應用成為被關注的焦點,然而,氮化鋁基板在區域市場的表現與當地下游應用重點息息相關,本文將針對氮化鋁...
中國對於全球礦業原物料的掌控已是鋪天蓋地,無所不在。在近年來飽受美國在半導體製造上的封鎖後,終於挾其本身原物料的高度優勢,正面的在半導體領域上,對美國進行反擊。掌控全球98%的鎵與90%的鍺,能夠逼美國、日本、荷蘭鬆手嗎? 另一方面,雖...
化合物半導體中的氮化鎵(GaN)應用不僅在通訊、同時在高功率都是屬於關鍵材料,並且各有各的利基市場,全世界各強權國家均將化合物半導體列為軍事防衛及太空發展之重要管制的戰略物資,可見其重要性。在國際情勢詭譎多變以及疫情的影響下,在半導體產業...
化合物半導體中的氮化鎵(GaN)應用不僅在通訊、同時在高功率都是屬於關鍵材料,並且各有各的利基市場,全世界各強權國家均將化合物半導體列為軍事防衛及太空發展之重要管制的戰略物資,可見其重要性。在國際情勢詭譎多變以及疫情的影響下,在半導體產業...
化合物半導體中碳化矽(SiC)兼具寬能隙(Wide Band Gap)、高崩潰電壓(Breakdown voltage)、高導熱率(Thermal conductivity)、高度電絕緣性與高功率密度(Power density)等幾個關...