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寬能隙半導體與功率元件製造設備崛起： 氮化鎵、碳化矽的市場分析與產業趨勢

• 2023/06/06
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本文探討寬能隙半導體材料市場潛力，碳化矽與氮化鎵功率元件成功普及。碳化矽、氮化鎵基板挑戰矽基半導體地位。氮化鎵磊晶基板製造技術進步，企業競爭力依賴矽基板氮化鎵磊晶層與自家元件整合。氮化鎵單晶基板朝大尺寸實用化與研發邁進。碳化矽元件市場需求...

釋放GaN的更多可能性: 探索新基板的專利技術

• 2023/05/15
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化合物半導體的產業變化日新月異，一片大好的SiC市場，卻因Tesla宣布將削減SiC 75%用量而攪動一池春水。不似SiC只用於功率元件，GaN在高頻與高功率元件上有著二刀流的實力，不過功率元件的那把刀似乎就比SiC手上的那把短了一些。新...

開創前瞻科技，先由寬能隙半導體晶圓開始：切片設備的發展趨勢

• 2023/03/10
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本文探討寬能隙半導體材料在新能源政策推廣下的重要性，以及在半導體上游製程中，切片設備在生產中的應用。切片設備是將整塊晶體切割成許多個晶圓以實現大規模生產的關鍵設備。本文整理目前國內外寬能隙半導體材料的加工現狀，包括重點說明游離磨料線切割、...

化合物半導體主要廠商技術及產品進展現況

• 2022/12/21
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近年來隨著5G基地台、電動車、充電樁、伺服器等產業迅速發展，高頻、高功率半導體元件及IC需求大幅增長；而高效能、低能耗的碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角。各主要大廠也針對其專長領域推出其產品，本文將主要廠...

各國化合物半導體政策分析

• 2022/09/29
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第三類化合物半導體材料具有寬能隙等重要特性，因此具有耐高電壓、耐高溫及高頻率等優良特性，可因應電動車、綠能、5G基站、雷達及快充等終端應用趨勢。近年來在碳中和與淨零排放的趨勢下，第三類化合物半導體的高能源轉換效率及節能效果，讓各國注意到化...

電動車逆變器及功率模組散熱技術

• 2022/06/28
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電動車馬達逆變器是動力系統核心，負責將電池電力轉換成馬達驅動電源。由功率元件開關產生大量的熱，在逆變器中藉由冷卻流體將熱帶走。有效的車輛冷卻系統架構和性能能夠實現更緊湊的功率轉換器封裝並減小驅動系統的尺寸和重量，同時提高系統可靠性和功率密...

化合物半導體碳化矽模組的產業技術與應用趨勢

• 2022/06/24
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化合物半導體中碳化矽(SiC)兼具寬能隙(Wide Band Gap)、高崩潰電壓(Breakdown voltage)、高導熱率(Thermal conductivity)、高度電絕緣性與高功率密度(Power density)等幾個關...

半絕緣型碳化矽基板及其在高頻元件之應用

• 2018/02/23
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碳化矽為近年快速發展的半導體晶圓材料，碳化矽功率元件優異的特性已逐漸導入各種應用領域，被視為未來重要節能技術，特別是近年電動車替代傳統內燃機系統的汽車政策逐漸明朗化後，因應節能，耐高溫，快速切換等車用元件的高性能及可靠性需求，對於碳化矽二極...

碳化矽功率元件於電力電子驅動系統構裝技術

• 2016/08/31
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【內容大綱】 一、碳化矽功率元件是提升系統效能之節能核心關鍵組件 二、 碳化矽功率元件的應用優勢 三、碳化矽功率元件應用於電力電子驅動系統的構裝技術 四、專家意見 【圖表大綱】 表一、矽(Si) 與SiC(碳化矽)材料的主要物理特性 ...

2020寬能隙電力電子進入電動車市場機會-碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)

• 2016/01/04
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【內容大綱】 一、寬能隙（WBG）電力電子定義 (一) 碳化矽元件 (二) 氮化鎵 二、車用SiC或GaN市場預測 三、IEKView 【圖表大綱】 表1、寬能隙材料與矽的物理特性比較表 圖1、Cree 的600V/10A SiC S...

碳化矽元件材料特性比較

• 2010/09/30
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一、碳化矽材料具備寬能隙、高崩潰電場與高導熱特性二、結構不同，特性略有差異三、優異的材料特性而為下一代功率元件發展焦點

碳化矽元件與價值鏈簡介

• 2010/09/27
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節能環保趨勢帶動新材料功率元件發展

• 2010/07/02
• 7340
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節能環保新趨勢--碳化矽元件發展

• 2010/06/14
• 2564
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一、碳化矽元件的近期發展狀態 二、高導熱、耐高壓與高頻特性為SiC元件應用之特點三、IEK View