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氧化鎵Ga₂O₃因具有更寬的能隙表現、較易生產的製程條件，成為繼GaN、SiC後討論熱度最高的下世代高頻、高功率半導體材料，目前Ga₂O₃半導體應用以功率元件為主，鎖定成長快速的電動車市場，日本NCT、Flosfia為全球商用進度領先的業者，持續展示著SBD、MOSFET功率裝置，提供比SiC、GaN更好的能源轉換效益，來降低電力損耗，提升電動車續航里程，預估在全球高功率電子裝置持續成長趨勢下，2022~2028年Ga₂O₃晶圓市場規模CAGR將達到17.4%。

【內容大綱】

• 一、Ga₂O₃半導體材料介紹
• 二、Ga₂O₃半導體技術趨勢
• 三、Ga₂O₃半導體市場趨勢
• 四、Ga₂O₃半導體供應鏈分析
  • (一)NCT (Novel Crystal Technology)
  • (二)Flosfia
  • (三)Kyma
  • (四)Northrop Grumman
  • (五)中國電科
• IEKView
  • (一)電動車、再生能源持續推動高功率半導體材料的發展
  • (二)日本商業化進程最快，透過產、官、學、研的合作模式值得借鏡

【圖表大綱】

• 表一、半導體材料物性比較
• 表二、β-Ga₂O₃主流長晶技術比較
• 圖一、2022~2028年全球650V以上功率電子裝置市場規模(億新臺幣)
• 圖二、Ga₂O₃化合物半導體供應鏈
• 圖三、Flosfia fabless的商業模式