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受AI強勁需求驅動，先進封裝產能供不應求，市場看好2.5D/3D封裝發展，特別是HBM等3D堆疊記憶體，年複合成長率上看30%。為滿足更高頻寬與容量，封裝技術正逐步從傳統錫球焊接演進至混合銅接合。現行HBM封裝分為兩大陣營：SK Hynix採用的MR+MUF，以及Samsung、Micron採用的TCB+NCF。MUF技術成熟，而NCF則隨記憶體應用崛起。然而，隨著晶粒堆疊技術朝向無晶粒間隙的HCB邁進，未來MUF與NCF等填充材料的市場需求恐將面臨挑戰。

【內容大綱】

• 一、前言
• 二、從2.5D到3D封裝
• 三、高頻寬記憶體3D封裝技術
• 四、MUF材料市場與趨勢
• 五、NCF材料市場與趨勢
• IEKView

【圖表大綱】

• 圖一、常見的2.5D封裝結構：左圖為InFO-POP藉由Re-distribution layer, RDL(重分布層，圖中綠色)連接不同晶片；右圖為CoWoS-S藉由Si-interposer(矽中介層，圖中淡灰色)
• 圖二、三星公司的HBM接合結構比較，左圖現行Micro bump搭配Thermal Compression bonding TCB(熱壓接合)設備與；右圖Hybrid Cupper Bonding, HCB(混合銅接合)
• 表一、全球先進2.5D/3D封裝市場趨勢
• 圖三、2024年全球先進封裝市場(80.31億美金)市占率分布
• 圖四、SK Hynix公司的獨家MR+MUF製作流程
• 圖五、Samsung公司使用TCB+NCF製作流程；(a)非導電膜NCF先貼在晶圓上，後裁切成晶粒，再使用TCB對位後壓合，並在數秒內快速升溫固化NCF；(b)貼有NCF的晶粒依序對位堆疊後，再用EMC另外包覆外圍
• 表二、全球MUF材料市場趨勢
• 圖六、2024年預估全球MUF市場市占(總額3,150噸)
• 表三、全球NCF材料市場趨勢
• 圖七、2024年預估全球NCF市場市占(總額120千m²)