i卡會員

化合物半導體的產業變化日新月異，一片大好的SiC市場，卻因Tesla宣布將削減SiC 75%用量而攪動一池春水。不似SiC只用於功率元件，GaN在高頻與高功率元件上有著二刀流的實力，不過功率元件的那把刀似乎就比SiC手上的那把短了一些。新的基板技術試圖彌補GaN先天上的劣勢，例如散熱、單晶成長不易、異質磊晶時的熱脹係數不搭配、天價的價格等問題。希望藉由解決這些問題，能夠讓GaN的表現更上層樓，同時降低成本，以普惠世人。

【內容大綱】

• 前言
• 一、緊箍咒纏身的明日之星
• 二、QST基板專利搜尋與技術分析
• 三、陶瓷與單晶基板的價格差異
• 四、未來趨勢與展望
• IEKView
• 其他參考文獻

【圖表大綱】

• 表一、矽與第三類半導體材料的基本物性與各種FOM(Figure of Merit)比較
• 表二、常見半導體單晶基板的主流製程與其相關條件比較
• 表三、常用作GaN異質基板材料的晶格常數與熱膨脹係數
• 表四、以AlN與專利權人為關鍵字的專利檢索與專利數目
• 表五、以DI專利資料庫搜尋Qromis公司20篇QST相關專利列表
• 圖一、QST基板結構1-早期用在LED
• 圖二、QST基板結構2
• 圖三、QST基板結構3
• 圖四、不同溫度下GaN與AlN的CTE曲線
• 表六、常見散熱陶瓷材料性質與換算成8吋晶圓的平均單價
• 表七、常見GaN使用的(磊晶)基板平均單價