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        釋放GaN的更多可能性: 探索新基板的專利技術
        Unleash more possibilities of GaN: Explore the technology of new substrates
        • 2023/05/15
        • 799
        • 32

        化合物半導體的產業變化日新月異,一片大好的SiC市場,卻因Tesla宣布將削減SiC 75%用量而攪動一池春水。不似SiC只用於功率元件,GaN在高頻與高功率元件上有著二刀流的實力,不過功率元件的那把刀似乎就比SiC手上的那把短了一些。新的基板技術試圖彌補GaN先天上的劣勢,例如散熱、單晶成長不易、異質磊晶時的熱脹係數不搭配、天價的價格等問題。希望藉由解決這些問題,能夠讓GaN的表現更上層樓,同時降低成本,以普惠世人。

        【內容大綱】

        • 前言
        • 一、緊箍咒纏身的明日之星
        • 二、QST基板專利搜尋與技術分析
        • 三、陶瓷與單晶基板的價格差異
        • 四、未來趨勢與展望
        • IEKView
        • 其他參考文獻
         

        【圖表大綱】

        • 表一、矽與第三類半導體材料的基本物性與各種FOM(Figure of Merit)比較
        • 表二、常見半導體單晶基板的主流製程與其相關條件比較
        • 表三、常用作GaN異質基板材料的晶格常數與熱膨脹係數
        • 表四、以AlN與專利權人為關鍵字的專利檢索與專利數目
        • 表五、以DI專利資料庫搜尋Qromis公司20篇QST相關專利列表
        • 圖一、QST基板結構1-早期用在LED
        • 圖二、QST基板結構2
        • 圖三、QST基板結構3
        • 圖四、不同溫度下GaN與AlN的CTE曲線
        • 表六、常見散熱陶瓷材料性質與換算成8吋晶圓的平均單價
        • 表七、常見GaN使用的(磊晶)基板平均單價

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