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        寬能隙功率元件技術發展趨勢
        The Development Trends of Wide Band Gap Power Device Technology
        • 2016/11/01
        • 2618
        • 64

        【內容大綱】

        • 一、前言
        • 二、技術說明
        • (一) 技術發展歷史
        • (二) 技術優劣主要衡量指標
        • 三、技術現況
        • 四、技術趨勢
        • 五、技術藍圖
        • 六、產業動向
        • 七、IEKView

        【圖表大綱】

        • 圖一、寬能隙功率元件擁有的優勢
        • 圖二、功率元件性能與目前發展狀況
        • 圖三、SiC晶圓市場產能概況
        • 表一、GaN功率元件技術發展與應用領域
        • 圖四、採用Si功率元件與SiC功率元件的逆變器成本結構比較
        • 表二、SiC功率元件應用市場採用狀況
        • 圖五、東京地鐵新車輛1000系電源迴路採用SiC二極體使電力再生應用
        • 圖六、GaN功率元件應用市場採用狀況
        • 圖七、SiC MOSFET與Si-IGBT切換波型比較
        • 圖八、SiC功率元件技術發展方向
        • 圖九、GaN on Silicon功率元件技術發展方向
        • 圖十、SiC功率元件全球供應鏈
        • 圖十一、GaN on Silicon功率元件全球供應鏈

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