寬能隙功率元件技術發展趨勢
The Development Trends of Wide Band Gap Power Device Technology
- 2016/11/01
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【內容大綱】
- 一、前言
- 二、技術說明
- (一) 技術發展歷史
- (二) 技術優劣主要衡量指標
- 三、技術現況
- 四、技術趨勢
- 五、技術藍圖
- 六、產業動向
- 七、IEKView
【圖表大綱】
- 圖一、寬能隙功率元件擁有的優勢
- 圖二、功率元件性能與目前發展狀況
- 圖三、SiC晶圓市場產能概況
- 表一、GaN功率元件技術發展與應用領域
- 圖四、採用Si功率元件與SiC功率元件的逆變器成本結構比較
- 表二、SiC功率元件應用市場採用狀況
- 圖五、東京地鐵新車輛1000系電源迴路採用SiC二極體使電力再生應用
- 圖六、GaN功率元件應用市場採用狀況
- 圖七、SiC MOSFET與Si-IGBT切換波型比較
- 圖八、SiC功率元件技術發展方向
- 圖九、GaN on Silicon功率元件技術發展方向
- 圖十、SiC功率元件全球供應鏈
- 圖十一、GaN on Silicon功率元件全球供應鏈