全球第三代半導體應用於電力電子發展趨勢
- 2025/09/26
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第三代半導體材料,如碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),具備高能隙、高耐壓與高溫穩定等特性,為實現電力電子高效轉換與系統小型化的關鍵技術。由於電動車、資料中心與再生能源的推進,全球市場規模自2019年7.8億美元,預估2031年將達93....
第三代半導體材料,如碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),具備高能隙、高耐壓與高溫穩定等特性,為實現電力電子高效轉換與系統小型化的關鍵技術。由於電動車、資料中心與再生能源的推進,全球市場規模自2019年7.8億美元,預估2031年將達93....