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半導體元件結構隨著摩爾定律推進，已由平面微縮全面轉向垂直三維堆疊，致使薄膜沉積技術從製程輔助角色，躍升為與微影技術同等重要的核心關鍵。化學氣相沉積CVD憑藉高速成膜優勢與量產效益，持續在厚膜絕緣與大體積填充製程中扮演核心地位。相對而言，原子層沉積ALD因具備原子級的厚度精準控制與極致的階梯覆蓋率，成為突破全環繞閘極(GAA)、3D記憶體及先進封裝等極高深寬比結構限制的唯一途徑。面對邏輯元件微縮、記憶體堆疊層數增加以及導線材料變革的嚴苛物理挑戰，先進沉積技術將成為延續半導體效能成長與實現異質整合的關鍵驅動力。

【內容大綱】

• 一、沉積設備之營收變動與技術轉換趨勢
  • (一)全球半導體設備市場概況
  • (二)ALD市場：2024年爆發式成長與2026年的延續
• 二、沉積製程於微縮節點之應用挑戰
  • (一)邏輯電晶體GAA轉換
  • (二)記憶體結構三維化
  • (三)先進封裝與異質整合
  • (四)導線金屬化革新
  • (五)DRAM儲存電容高深寬比沉積
• 三、全球設備供應商之戰略佈局
  • (一)ASM International
  • (二)Applied Materials (AMAT)
  • (三)Lam Research
  • (四)Tokyo Electron (TEL)
• IEKView

【圖表大綱】

• 表1、全球主要半導體製程設備產值及市占率分析
• 表2、CVD、ALD與PEALD薄膜沉積技術特性比較
• 圖1、ASM XP8E通用平台：從表面處理到ALD沉積的一體化整合解決方案
• 圖2、Lam SPARC SiCO薄膜於GAA電晶體Low-k inner spacer間隔層應用示意&SPARC薄膜成分分析&SPARC階梯覆蓋率>90%成果