i卡會員

2022年全球記憶體市場因總體經濟種種不利因素影響，造成終端需求緊縮，但在不景氣之下，全球重要廠商仍將錢花在刀口上，將資本投資聚焦在新技術的研發上，其中最主要的目標即是瞄準次世代運算。DRAM發展重點為DDR6等規格，除了透過EUV的製程達到更細的線寬以增加電晶體的密度之外，也透過如mSAP封裝技術，來達到更高的傳輸速度。而3D NAND Flash技術也如同DRAM技術一般將EUV技術導入製程，領導廠商發表產品堆疊層數突破200層，藉此實現高速且高可靠度的SSD存取裝置。而新興記憶體可透過黃光製程與邏輯IC整合除提高資料傳輸性能之外，並縮小晶片體積。因此如RRAM、MRAM等可以和晶圓製程整合的新興記憶體技術也將是未來不可忽視的發展方向。

【內容大綱】

• 一、AI導入各類型應用比例攀升，促使各裝置運算力增加
  • (一)各類型導入AI機能後對應的相關發展
  • (二)運算力攀升對記憶體技術未來發展的挑戰
• 二、在景氣反轉時持續投資-2023年後全球記憶體製造 技術與廠商發展戰略
  • (一)2022年全球記憶體市場發展
  • (二)先蹲低再跳高-2022年記憶體廠商準備未來，持續朝向高容量、高速存取等技術進行投資
• 三、2023年後記憶體技術發展
  • (一)下階段記憶體規格發展重點(1)：DDR6-12800、GDDR7與HBM3
  • (二)下階段記憶體規格發展重點(2)：3D NAND Flash技術協助實現高速且高可靠度存取裝置
  • (三)下階段記憶體規格發展重點(3)：次世代運算所需記憶體
• IEKView

【圖表大綱】

• 圖一、AI半導體需求市場規模預估
• 表一、Sever機器運算消費電力推估
• 圖二、全球DRAM市場規模
• 圖三、全球NAND Flash市場規模
• 圖四、2022年記憶體相關公司投資規劃
• 表二、DRAM記憶體規格
• 表三、各公司3D NAND Flash技術發展
• 表四、各公司在次世代嵌入式記憶體的技術發展現況