i卡會員

隨著AI運算需求快速攀升，2026年發表的Vera Rubin晶片功耗突破2,000W，對於資料中心散熱問題再度帶來新挑戰，本篇以液冷技術為主軸，梳理從晶片端的高導熱材料與微流控設計、模組層級的液冷板型態升級與機櫃結構變化，說明各層級技術如何共同應對高功率密度所帶來的散熱壓力。

【內容大綱】

• 一、散熱技術從晶片到機櫃全面升級
  • (一)晶片端升級：材料、微流控與封裝技術
  • (二)模組層升級：液冷板朝向全覆蓋、雙相、雙面、微通道
  • (三)機櫃架構升級：空間優化、電力+散熱整合
• IEKView
  • (一)對臺灣供應鏈來說，這波趨勢同時帶來機會與挑戰：

【圖表大綱】

• 圖1、資料中心液冷散熱系統
• 圖2、(上圖)採用熱介面材料、上蓋及冷板配置的CoWoS方案；(下圖)採用IMC-Si散熱的CoWoS方案
• 圖3、傳統封裝vs頂部封裝示意圖
• 圖4、雙面封裝示意圖
• 表1、頂部/雙面封裝產品與主要廠商動向
• 圖5、雙面液冷板示意圖
• 圖6、資料中心機櫃散熱結構升級