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沉積和蝕刻是半導體製程中的關鍵步驟，當今半導體製程線寬已經進入奈米等級，結構的階梯覆蓋效果引起許多的關注。一般氣相沉積和乾蝕刻製程，由於在邊角的部份，無法做到精準且均勻的厚度控制，所以原子級沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)與原子級蝕刻(Atomic Layer Etching, ALE)設備由於可以做到原子等級的厚度控制，所以其市場需求和導入量產數量都大幅增加。ALD設備市場規模預估2022~2027年複合成長率為25%，同期ALE設備年複合成長率為8.2%。我國投入ALD和ALE的設備商不多，但具備沉積和蝕刻設備關鍵模組的製造能力，透過本文章將介紹ALD和ALE設備原理、應用範疇和市場規模及主要供應商的發展趨勢，希望能帶給國內設備業者一些未來產品開發新思維。

【內容大綱】

• 一、半導體原子級製程設備的關鍵地位
• 二、半導體原子級製程設備的運作機制
• 三、半導體原子級製程設備市場
• 四、我國半導體原子級製程設備的開發機會
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【圖表大綱】

• 圖1、原子級薄膜技術應用範疇
• 表1、原子層薄膜技術應用於各種材料和功能
• 圖2、原子級薄膜沉積技術運作機制
• 圖3、Spatial ALD(左)及AMAT Olympia(右)腔體中氣體循環運作機制