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【內容大綱】

• 一、內埋功率元件構裝技術說明
• 二、電路封裝結構設計
• 三、絕緣阻抗設計分析
• 四、功率元件內埋封裝結構設計分析
• (一)封裝結構電性模擬分析
• (二)封裝結構佈局設計
• 五、電氣特性量測分析
• 六、結論

【圖表大綱】

• 圖1　基板封裝技術
• 圖2　半橋式電路架構與內埋結構設計
• 圖3　AJINOMOTO GX13 Material
• 圖4　Power SiP Module側面圖示
• 圖5　全橋電路示意走線圖
• 圖6　MOS功率元件小訊號分析電路
• 圖7　TO-247AC/TO-257AA/TO-262(International Rectifier)封裝架構與電感寄生參數
• 表1　EM模擬軟體寄生電感值
• 圖8　LEADFRAME Panel
• 圖9　(A)LEADFRAME(白色框)；(B)IGBT/Diode Position(紅色框+綠色框)；(C)Via 150um/300um(黃色+藍色+深綠色)；(D)RDL Layout(黃色框)
• 圖10　PV電源調節器模組封裝實體物件(左圖：正面；中圖：背面；右圖：側面)
• 圖11　Curve Tracer儀器設備之電氣特性量測平台