奈米電子產品－MRAM…ITRS列為最新的下一代記憶體 2002/05/08 999 3 奈米電子產品－MRAM…ITRS列為最新的下一代記憶體 一、MRAM：短期內最可能實用化！ITRS列為最新的下一代記憶體！ 二、磁電阻現象：GMR、TMR 三、MRAM記錄0與1的方式：非揮發性！ 四、MRAM所使用的技術：G... 游李興 #電阻 #強磁性層 #奈米