i卡會員

半導體產業發展至今經歷了三個階段，第一代半導體材料以矽（Si）為代表，第二代半導體材料砷化鎵（GaAs）也已經廣泛應用於各類電子器件。相比第一代與第二代半導體材料，第三代半導體材料，又稱寬能隙半導體具有較大能隙(能隙 > 2.2eV）而名為寬能隙(WBG)半導體，主要包括碳化矽（SiC）、氮化鋁（AlN）、氮化鎵（GaN）、金剛石、氧化鋅（ZnO），其中，發展較為成熟的是SiC和GaN。第三代半導體材料正在引起清潔能源和新一代電子信息技術的革命，無論是照明、家用電器、消費電子設備、新能源汽車、智能電網、還是軍工用品，都對這種高性能的半導體材料有著極大的需求，近期國際能源與愛護環境議題的發酵，高效能與高整合度之電力電子應用發展，帶動寬能隙半導體在該領域之權重逐漸受重視，目前落實產業應用正處於萌芽期，預計2020年後電力電子將因寬能隙半導體的普及化再造高峰。

【內容大綱】

• 一、半導體材料的沿革與應用
• 二、5G與汽車科技加速寬能隙半導體材料發展
• 三、國際發展現況
• IEKView

【圖表大綱】

• 表1、各類半導體之特性比較表
• 圖1、SiC 之市場應用預測
• 圖2、GaN 之市場應用預測
• 圖3、電力電子之產業成長趨勢預測
• 圖4、矽元件與寬能隙半導體之元件設計比較