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2019年記憶體市場仍處艱辛，但風雨飄搖中仍有未知的可能性，其中DRAM與Flash產品市場表現雖然情勢嚴峻，但隨著市場漸趨穩定，整體狀況將有改善。此外在技術面，DRAM的DDR4、 LPDDR5規格的發展將牽動未來利基型產品的發展。3D NAND Flash將是Flash產品朝向多樣化發展的轉型契機。而隨著AI機能在各類型裝置擴散，在SoC當中嵌入記憶體的設計成為重要趨勢，但將次世代記憶體在晶圓等級製程中進行整合，同時提升良率則是目前最大的挑戰。未來的記憶體產業，將不只是傳統專業記憶體廠商獨領風騷，Foundry透過嵌入式記憶體技術切入AI用次世代SoC晶片的製造，亦將帶來另一番不同的產業風貌。

【內容大綱】

• 一、2019年DRAM市場表現仍然嚴峻
  • (一)  DRAM市場自2018年開始出現供過於求導致跌價的隱憂
  • (二)  Intel缺貨議題緩解有助於DRAM市場的重整
  • (三)  DDR4與LPDDR5規格的興起，對應新興產品的需求擴增
• 二、 Flash產品跌價壓力持續，廠商朝向多樣化發展力守價格
  • (一)  Flash產品價格與規格變動趨勢
  • (二)  3D NAND Flash技術推進未來高容量SSD的可能性
• 三、 AI相關需求推動記憶體技術前進
  • (一)  從車用記憶體需求來看未來新興應用高容量記憶體技術發展
  • (二)  AI需求催生In Memory Computing興起-新興記憶體技術的發展曙光
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【簡報大綱】

• 圖一、2016-2023全球DRAM市場規模與ASP變動趨勢
• 圖二、DRAM資本投資與ASP變動趨勢
• 圖三、Intel Tick-Tock模式
• 圖四、DRAM出貨分類
• 表一、LPDDR相關規格
• 圖五、3D NAND Roadmap
• 表二、各公司3D NAND技術發展
• 圖六、車載用NAND Flash容量需求
• 圖七、傳統晶片運算機制