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從終端應用來看，5G建設所需的基站設備，物聯網載具、雲端運算工具，乃至於歸類於工業自動化應用之電源、控制、驅動電路等硬體的電子組件，以及車用系統，如動力系統，ADAS系統、電控及充電樁等，是功率半導體產業發展之潛在機會。擔任要角的半導體材料，晶圓成為產業發展的觀測重點，除矽晶圓外，已經開始上線的化合物半導體晶圓需求漸趨明朗。就現有市況而言，化合物中寬能隙晶圓應用有逐年增加之趨勢。本文中將以目前市場廣為討論的氮化鎵(GaN)，碳化矽(SiC)，氧化鎵(Ga₂O₃)為重點，從產品類型/特性、市場概況與國際廠商發展進程，剖析未來發展。

【內容大綱】

• 一、 化合物半導體發展課題
• 二、 高頻之磊晶發展-GaN Epi
• 三、 半絕緣碳化矽(SiC)磊晶之發展
• 四、 後起直追的潛力磊晶圓材料-氧化鎵（Ga₂O₃）
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【圖表大綱】

• 表一、市售GaN磊晶晶圓特點與用途分類
• 圖1、GaN晶圓產量與產值預測
• 表二、GaN磊晶晶圓產業鏈動態
• 圖2、GaN磊晶基底基板之供應商現況
• 圖3、SiC晶圓產量與產值預測
• 圖4、SiC晶圓銷售預測
• 圖5、SiC晶圓之關鍵應用銷售預測
• 表三、SiC磊晶晶圓產業鏈動態
• 圖6、氧化鎵晶圓銷售預測