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第三代半導體材料，如碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)，具備高能隙、高耐壓與高溫穩定等特性，為實現電力電子高效轉換與系統小型化的關鍵技術。由於電動車、資料中心與再生能源的推進，全球市場規模自2019年7.8億美元，預估2031年將達93.5億美元，年均成長率達27.5%。主要應用為車用領域，占比逾六成，其次為工業與消費電子。第三代半導體整體已邁入初期商用階段，未來可望在高效電力電子系統中演關鍵角色。

【內容大綱】

• 一、第三代半導體技術概況
  • (一)第三代半導體定義與特性
  • (二)碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)之材料優勢
• 二、全球市場概況
  • (一)碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)市場規模與預測
  • (二)地區市場占比及預估
• 三、寬能隙元件在電力電子應用市場驅動力分析
• 四、主要應用趨勢分析
  • (一)消費性電子應用
  • (二)汽車與運輸領域應用
  • (三)工業應用
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【圖表大綱】

• 表1、碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)材料優勢說明
• 圖1、全球碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率元件各應用市場規模
• 圖2、各地區SiC與GaN功率元件市占率(2023年)
• 圖3、各地區SiC與GaN功率元件市占率(2031年)
• 表2、全球寬能隙元件市場驅動力分析
• 表3、消費性電子中碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)的應用
• 表4、汽車與運輸領域中碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)的應用
• 表5、工業應用領域中碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)的應用