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III-V族的化合物半導體材料中，氮化鋁(AlN)目前正逐漸被材料科學家們所關注中。氮化鋁(AlN)是鋁的固體氮化物，一般常見是屬於高強度的陶瓷絕緣體，另外也有屬於單晶型態的晶體，兩者的形成皆來自於氮化鋁粉體，差別在於製作程序與技術。氮化鋁具有高導熱率、高度電絕緣性、耐腐蝕、高純度等幾個關鍵特性，在高頻與高功率電子元件封裝及模組構裝的應用市場，尤其是5G與新興電動車等產品，對於高散熱管理和電氣應用是理想的材料選擇。本文針對氮化鋁特性介紹起，探討粉體製作方式與當今應用市場以及未來驅動氮化鋁成長的大趨勢，詳述如後。

【內容大綱】

• 前言
• 一、氮化鋁(AlN)的特性
• 二、氮化鋁(AlN)的粉體
  • (一)直接氮化法
  • (二)碳熱還原法
  • (三)自蔓延高溫合成法
  • (四)化學氣相沉積法
• 三、氮化鋁(AlN)的應用
  • (一)氮化鋁單晶應用
  • (二)氮化鋁陶瓷基板應用
• 四、氮化鋁(AlN)的主要應用市場
• 五、驅動氮化鋁(AIN)成長的大趨勢
  • (一)電動汽車市場前景看好
  • (二)亞太地區電子出口增長
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【圖表大綱】

• 表一、絕緣材料的導熱係數
• 表二、AlN的基本物理特性
• 圖一、氮化鋁(AlN)的應用
• 圖二、氮化鋁(AIN)應用市場
• 圖三、全球電源模組市場規模
• 圖四、全球電源模組用封裝基板市場規模
• 圖五、全球電源模組用之基板市場
• 圖六、2021年全球氮化鋁(AIN)應用區域市場