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利用原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)技術成長的薄膜具有多項優點可適用於先進的半導體製程，主要應用為沉積邏輯晶片中電晶體的閘極介電層以及DRAM的溝槽式電容，閘極介電層多使用Hf系的High-k材料，主要為避免因元件微縮而產生的漏電流，而電容絕緣層則會使用Zr系的High-k材料，目的為增加電荷的儲存量。

由於DRAM電容和FinFET結構深寬比的改變，加上DRAM開始導入High-k閘極介電層的技術，閘極用以及電容用High-k材料的市場都有擴大的趨勢。閘極用High-k材料的主要供應商為Entegris和Air Liquide，台灣為最大的販售市場；電容用High-k材料的主要供應商則有ADEKA, Air Liquide和TCLC/SK Tri Chem，主要銷往韓國。

【內容大綱】

• 一、前言
• 二、原子層沉積製程簡介
• 三、前驅物材料種類
• 四、High-k材料主要供應商現況及未來動向
  • (一) Entegris(美國)
  • (二) Air Liquide(法國)
  • (三) ADEKA(日本)
  • (四) Tri Chemical Laboratories(日本)/SK Tri Chem(韓國)
• 五、High-k材料全球市場
  • (一) 用於電晶體閘極介電層的High-k材料
  • (二) 用於DRAM電容的High-k材料
• IEKView

【圖表大綱】

• 表一、ALD, CVD, PVD技術比較表
• 圖一、利用ALD製程沉積ZnO薄膜說明圖
• 圖二、ALD常見的金屬化合物前驅物
• 表二、ALD之沉積薄膜材料
• 圖三、High-k閘極介電層示意圖
• 圖四、(1) ZAZ-MIM電容結構；(2) DRAM結構示意圖
• 圖五、High-k材料各應用之銷售量分析(2019)
• 圖六、閘極用High-k材料販售市場地域分析(2019)
• 圖七、電容用High-k材料販售市場地域分析(2019)