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        我國碳化矽(SiC)基板製造技術發展動態
        Status of Silicon Carbide (SiC) Substrate Manufacturing Technology in Taiwan
        • 2022/03/02
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        根據國際研究諮詢機構Gartner預估,SiC MOSFET元件市場在2024年將達18億美元規模,2018至2024年的年複合平均成長率(CAGR)高達27%;而以SiC基板搭配GaN磊晶的高頻元件市場,同期的年複合平均成長率則達到26%,並在2024年將達到14億美元的市場規模。上述高成長市場對於SiC基板的需求亦大幅竄升,也促使全球眾多業者爭相布局,甚至由國家政策加碼投入資源。我國政府也於2022年啟動「化合物半導體計畫」,以8吋SiC相關的技術、設備和粉體材料為主要發展方向。政府重視度提高,各企業技術發展腳不停歇,使得我國SiC產業鏈日臻健全。本文將透過分析我國基板製造動態,以及基板商的營運模式、挑戰和需求,期待能促進產學研更多交流機會,彼此優勢鏈結加快我國SiC基板發展。

        【內容大綱】

        • 一、我國SiC基板進口依存度高
        • 二、國內外SiC企業商業模式分析
        • 三、我國SiC基板製造技術動態
        • 四、我國SiC基板製造業的挑戰
        • IEKView
         

        【圖表大綱】

        • 圖1、SiC全球產業價值鏈
        • 圖2、環球晶SiC晶球、晶錠、基板
        • 圖3、漢民科技SiC晶球、晶錠、基板
        • 圖4、我國SiC基板自主化發展四大挑戰

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