B5G/6G應用下高頻半導體需求趨勢
Demand trend of high-frequency Semiconductors under B5G/6G application
- 2025/07/02
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通訊系統的支援正不知不覺中從5G進展到B5G,並在多年前已有6G白皮書問世,也讓我們意識到毫米波與6G太赫茲高頻原料的需求即將到來,從了解6G頻譜和網路部署的策略,275-450 GHz GHz頻率範圍內,到陸地行動業務的應用與其規格的需求,可以從中探究到各項應用中高頻用半導體材料的需求與趨勢。
【內容大綱】
- 前言
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一、6G頻譜和網路部署策略與應用
- (一)6G頻譜和網路部署策略
- (二)275-450 GHz頻率範圍內陸地行動業務應用概述
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二、6G相對於5G各項目的比較與面臨的挑戰
- (一)6G比起B5G通訊規格更具挑戰
- (二)6G的關鍵應用
- (三)太赫茲通訊關鍵技術概述
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三、各項高頻用半導體材料的需求與挑戰
- (一)太赫茲射頻半導體技術選擇概述
- (二)6G需求下矽基與III-V化合物半導體的比較
- (三)在CMOS上整合InP以製造>100 GHz波束形成發射器的三種方法
- (四)InP功率放大器的產業與研發現況
- (五)太赫茲通訊半導體面臨的挑戰
- IEKView
【圖表大綱】
- 圖一、6G頻段的佈建
- 圖二、6G高頻應用範例
- 圖三、B5G與6G的性能比較
- 表一、B5G與6G的各項特徵與性能之詳細比較
- 圖四、6G關鍵應用概述
- 圖五、太赫茲通訊關鍵技術概述
- 表二、5G與6G技術創新之比對
- 圖六、B5G/6G射頻半導體技術選擇
- 表三、半導體在高頻應用的關鍵特性
- 表四、200 GHz以上頻段功率放大器之半導體材料整理
- 圖七、三種CMOS整合InP的封裝比較