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        RGB三色量子點螢光粉應用於Micro-LED之顯示技術
        The application of RGB full-color quantum dots on Micro-LED devices
        • 2020/06/05
        • 521
        • 43

        顯示器的設計趨勢朝向更輕薄以及更省電的方向發展,從過去厚重的CRT逐漸演變成輕薄的OLED與Mini-LED顯示器,而與目前市場上熱門OLED相比,由於Micro-LED 尺寸小、晶片密度更高,因此Micro-LED顯示器可以實現相當高的解析度,並且具有更高的亮度及更快的反應速度,可達到ns等級,也可避免動態殘影的問題,特別是所需驅動的電流更小,耗能更低。Micro-LED顯示器的結構,相較於TFT-LCD顯示器會簡化許多,可以省去背光模組、導光板、液晶、彩色濾光片、偏光片。Micro-LED元件尺寸將從平板顯示擴展到可見    光通訊、車載應用、醫療探測、虛擬與擴增實境等高畫素之穿戴式裝置上。

        【內容大綱】

        • 一、前言
        • 二、Micro-LED遭遇之瓶頸與解決方法
          • (一) Micro-LED尺寸效應(size-dependent effect)
          • (二) 巨量轉移技術(Mass-transfer technology)困境
        • 三、Micro-LED之未來展望
         

        【圖表大綱】

        • 圖一、(a) 郭浩中教授與2014年諾貝爾物理學獎得主Nakamura及PlayNitride CEO李允立的合照 (b)為郭浩中教授與香港科技大學劉紀美教授的合照
        • 圖二、(a)2018年三星146寸Micro-LED TV「The Wall」 (b) 2019年Sony展示8K“Crystal LED”螢幕
        • 圖三、Micro-LED相關技術的發展歷史
        • 表一、各類顯示器特性比較表
        • 圖四、實現Micro-LED產業化的技術瓶頸示意圖
        • 圖五、可見光通訊之主要用途
        • 圖六、(a)100×100 µm2 AlGaInP Micro-LED的電致發光光譜及不同尺寸的元件發光影像圖 (b)LED尺寸與EQE的關係圖
        • 圖七、(a)Micro-LED使用ALD沉積SiO2做為側壁鈍化之結構示意圖 (b) 10 µm、20 µm、40 µm之Micro-LED元件,側壁鈍化前後之發光影像圖
        • 圖八、常見巨量轉移的方法,紅色、綠色、藍色LED分別磊晶製程後,透過巨量轉移的方式轉移到玻璃基板上
        • 圖九、(a)量子點噴塗全彩Micro-LED顯示器 (b) SIJ實現10 μm x 10 μm全彩Micro-LED畫素
        • 圖十、奈米環微型發光二極體陣列SEM影像(a)奈米環形微型發光二極體元件俯視圖 (b) 奈米環形微型發光二極體元件側向圖與(c)光致發光的強度圖
        • 圖十一、量子點混合式微型發光二極體之(a)電激發光譜及(b)CIE-1931色域座標
        • 圖十二、(a)c-plane和半極化Micro-LED的電流與波長關係圖 (b) c-plane和半極化Micro-LED在不同的注入電流下、CIE 1931色域圖
        • 圖十三、Micro-LED未來應用及技術發展趨勢示意圖
        • 圖十四、未來五年預期穿戴式Micro-LED顯示器產量(千台)

         


         

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