i卡會員

隨著5G基礎建設的不斷布建，亦衍生出的新的基礎建設商機。GaN on SiC射頻元件具有高輸出功率、高功率密度、高可靠度等特性，已成為5G基礎建設非常重要的射頻產業新商機。歐、美、日等IDM大廠，掌握全球超過8成以上射頻元件的供應量，成為影響未來5G基礎設施的技術發展的關鍵角色。

【內容大綱】

• 一、全球5G基礎建設展之狀況與展望
• 二、5G基礎設施射頻技術之發展趨勢
• IEKView

【圖表大綱】

• 圖一、全球5G行動基礎設備市場規模
• 圖二、全球電信基礎設施產業的各RF前端模組技術類別之市場規模
• 圖三、RF前端模組技術之特性比較
• 圖四、GaN 適用於高頻的5G通訊系統
• 圖五、各廠商在通訊設備RF技術平台之布局
• 圖六、通訊基礎設施GaN RF的全球專利
• 圖七、2019年全球GaN RF元件製造的市占率
• 圖八、2019年全球GaN RF產業生態之經營模式
• 圖九、全球RF GaN元件的製造技術規畫藍圖