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        5G通訊基礎設施之射頻產業發展趨勢
        The RF Components Development Trend of the 5G Infrastructure
        • 2021/02/09
        • 1358
        • 81

        隨著5G基礎建設的不斷布建,亦衍生出的新的基礎建設商機。GaN on SiC射頻元件具有高輸出功率、高功率密度、高可靠度等特性,已成為5G基礎建設非常重要的射頻產業新商機。歐、美、日等IDM大廠,掌握全球超過8成以上射頻元件的供應量,成為影響未來5G基礎設施的技術發展的關鍵角色。

        【內容大綱】

        • 一、全球5G基礎建設展之狀況與展望
        • 二、5G基礎設施射頻技術之發展趨勢
        • IEKView

         

        【圖表大綱】

        • 圖一、全球5G行動基礎設備市場規模
        • 圖二、全球電信基礎設施產業的各RF前端模組技術類別之市場規模
        • 圖三、RF前端模組技術之特性比較
        • 圖四、GaN 適用於高頻的5G通訊系統
        • 圖五、各廠商在通訊設備RF技術平台之布局
        • 圖六、通訊基礎設施GaN RF的全球專利
        • 圖七、2019年全球GaN RF元件製造的市占率
        • 圖八、2019年全球GaN RF產業生態之經營模式
        • 圖九、全球RF GaN元件的製造技術規畫藍圖

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