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        碳化矽(SiC)長晶與晶圓薄化設備的技術發展趨勢
        Technical development trend of SiC crystal growth and wafer thinning equipment
        • 2021/05/14
        • 1024
        • 52

        碳化矽(SiC)相較於矽(Si),由於具備10倍的擊穿電場、3倍的能隙寬度、50倍的功率密度、3倍的熱導率,使得它比矽或其他化合物半導體,更適合作為電力電子充電裝置等高功率元件的材料,應用領域涵蓋電動車、軌道運輸、風力發電等。Marketsandmarkets預估,SiC應用市場的年複合成長率高達19%,2025年市場將達到18億美元。然而目前SiC長晶與晶圓薄化(切割、研磨、拋光)效率緩慢,使得目前製作成本居高不下,是SiC產業最關鍵的挑戰之一。因此本文透過觀察國際SiC晶圓領導廠商的動態與佈局,以及檢視產學研界於長晶、切割、研磨、拋光技術發展,為國內欲投入SiC晶圓生產設備的廠商提供技術趨勢與建議。

        【內容大綱】

        • 一、SiC應用市場驅動力強勁
        • 二、全球碳化矽(SiC)晶圓領導廠商動態
        • 三、碳化矽(SiC)長晶的挑戰
        • 四、碳化矽(SiC)晶圓薄化的挑戰
          • (一)切割
          • (二)研磨
          • (三)拋光
        • IEKView
         

        【圖表大綱】

        • 圖1、碳化矽(SiC)終端應用市場規模
        • 表1、CREE晶圓供貨協定廠商
        • 圖2、II-VI化合物半導體廠區分佈
        • 表2、中國大陸SiC晶圓廠商動態
        • 圖3、SiC長晶方法
        • 圖4、漿液切割法與鑽石線切割法比較圖
        • 圖5、Disco SiC晶圓雷射切割與傳統多線切割法比較
        • 圖6、Infineon SiC晶圓雷射冷裂切割技術
        • 圖7、SiC晶圓離子佈植切割法製程
        • 圖8、Lapping/Grinding製程的加工機制比較
        • 圖9、DynamicAGE-ing®製程示意圖

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