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        化合物半導體碳化矽模組的產業技術與應用趨勢
        Industrial Technology and Application Trend of Compound Semiconductor SiC Modules
        • 2022/06/24
        • 1908
        • 117

        化合物半導體中碳化矽(SiC)兼具寬能隙(Wide Band Gap)、高崩潰電壓(Breakdown voltage)、高導熱率(Thermal conductivity)、高度電絕緣性與高功率密度(Power density)等幾個關鍵特性,在電子元件的應用中具有快速切換、耐高溫及耐高電壓的功能,在高頻與高功率電子元件及模組構裝的製程中也具有較理想的熱膨脹係數(CTE),是高頻、高功率以及高散熱需求應用的理想選擇。本文就應用產業的演進與發展趨勢以及對於電壓需求區分寬能隙材料適用範圍,談談市場驅動功率模組的進展,並且探討模組構裝所需之材料與市場規模以及驅動其成長的未來大趨勢。

        【內容大綱】

        • 前言
        • 一、從歷史視角與產業發展看功率模組應用驅動的進展
        • 二、以電壓需求區分寬能隙材料適用範圍
        • 三、功率模組市場規模
        • 四、常出現在功率元件與模組構裝用的材料
        • 五、功率模組構裝用材料市場規模
        • 六、碳化矽(SiC)產業結構
        • 七、主要供應商現況
        • IEKView
         

        【圖表大綱】

        • 圖一、功率模組應用產業發展歷程
        • 圖二、從電壓需求區分寬能隙材料應用範圍
        • 圖三、功率模組市場規模
        • 圖四、功率元件與模組構裝結構
        • 圖五、功率模組構裝用材料成本分析
        • 圖六、功率模組構裝用材料市場成長
        • 圖七、碳化矽晶圓全球產業結構圖

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