ALD技術助力淨零碳排:推動製造業綠色升級的關鍵
ALD Technology Enabling Net Zero: The Key to Driving Green Upgrades in Manufacturing
- 2024/12/13
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電晶體技術從平面結構到GAA及CFET的未來架構,見證了半導體製程的快速發展。每一次技術進步,不僅提升了晶片的性能、能效和密度,也加速了數位化社會的進程。與此同時,ALD技術憑藉其高精準性、高均勻性以及低能耗的特性,成為支撐半導體製程的重要基石。尤其在3D結構和先進節點製造中,ALD技術為高密度製程提供了解決方案,並在提升良率、減少材料浪費、縮短製程時間等方面展現出卓越的節能減碳效益。隨著技術的不斷創新,ALD將進一步推動半導體產業朝向更高效、更環保的方向邁進,成為實現綠色製造與突破性技術應用的重要驅動力。
【內容大綱】
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一、電晶體發展:從平面結構到三維架構
- (一)平面電晶體:電子工業的奠基石
- (二)鰭式場效電晶體(FinFET):性能與能效的新平衡
- (三)全環繞閘極技術(GAA):通道控制的全新境界
- (四)互補式場效電晶體(CFET):極致密度的未來方向
- (五)電晶體技術的多元化與應用前景
- (六)電晶體的改變推動製程節點向前
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二、薄膜沉積技術的現狀與挑戰
- (一)物理氣相沉積(PVD):傳統技術的高效應用
- (二)化學氣相沉積(CVD):均勻性與覆蓋能力的突破
- (三)原子層沉積(ALD):高精度薄膜技術的典範
- (四)PVD、CVD與ALD的協同應用與優化策略
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三、原子層沉積(ALD)技術的全面解析
- (一)ALD技術的起源與歷史演進
- (二)ALD技術的核心原理與關鍵特性
- (三)ALD技術推動半導體發展方向
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四、ALD技術的優勢與節能減碳效益
- (一)ALD技術在節能減碳中的核心優勢
- (二)如何透過ALD減少製程能耗與碳排放
- (三)ALD技術在提升良率與效率方面的環保價值
- (四)ALD技術在可持續製造中的未來角色
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五、結論
- (一)奈米時代的推進與ALD技術的重要角色
- (二)ALD技術的多元應用與產業價值
- (三)全球合作與技術創新對ALD的影響
- (四)ALD技術助力半導體產業的全面升級
【圖表大綱】
- 圖1、電晶體結構改變歷程
- 圖2、電晶體結構與製程節點關聯圖
- 表1、三大(PVD, CVD, ALD)薄膜製程技術比較
- 圖3、ALD技術發展歷程
- 圖4、ALD選擇性區域沉積情境
- 圖5、工研院機械所研發全球首創高效雙膜態原子層鍍膜系統設備