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        氮化鎵功率半導體市場應用發展趨勢

        • 2023/06/06
        • 1588
        • 76

        第三類化合物半導體SiC、GaN材料的興起,有助於解決傳統矽基元件的發展瓶頸,而第三類化合物半導體具備耐高溫、高壓、高頻、高速等優異特性,可滿足未來通訊、電源快充系統、電動車、再生能源等應用需求。其中SiC是主要適用車用及再生能源領域大功...