化合物半導體碳化矽模組的產業技術與應用趨勢
- 2022/06/24
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化合物半導體中碳化矽(SiC)兼具寬能隙(Wide Band Gap)、高崩潰電壓(Breakdown voltage)、高導熱率(Thermal conductivity)、高度電絕緣性與高功率密度(Power density)等幾個關...
化合物半導體中碳化矽(SiC)兼具寬能隙(Wide Band Gap)、高崩潰電壓(Breakdown voltage)、高導熱率(Thermal conductivity)、高度電絕緣性與高功率密度(Power density)等幾個關...