全球第三代半導體應用於電力電子發展趨勢
- 2025/09/26
- 855
- 16
第三代半導體材料，如碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)，具備高能隙、高耐壓與高溫穩定等特性，為實現電力電子高效轉換與系統小型化的關鍵技術。由於電動車、資料中心與再生能源的推進，全球市場規模自2019年7.8億美元，預估2031年將達93....
產業焦點
第三代半導體材料，如碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)，具備高能隙、高耐壓與高溫穩定等特性，為實現電力電子高效轉換與系統小型化的關鍵技術。由於電動車、資料中心與再生能源的推進，全球市場規模自2019年7.8億美元，預估2031年將達93....
近年來隨著5G基地台、電動車、充電樁、伺服器等產業迅速發展，高頻、高功率半導體元件及IC需求大幅增長；而高效能、低能耗的碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙半導體於近年快速嶄露頭角。各主要大廠也針對其專長領域推出其產品，本文將主要廠...