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        AI伺服器引爆記憶體革命—HBM、DRAM 與NAND次世代技術與競爭版圖 (研討會簡報)
        AI Servers Ignite a Memory Revolution: Next-Generation HBM, DRAM and NAND Technologies and Competitive Landscape
        • 2026/06/25
        • 765
        • 78

        簡報大綱

        • AI驅動的記憶體超級循環與市場版圖
        • HBM技術進程與次世代封裝突破
        • DRAM技術節點進程與次世代架構演進
        • NAND的角色正從儲存媒體延伸到 AI 推論支援
        • AI正重新定義HBM、DRAM 與NAND 的產業分工與價值位置

        簡報內容

        AI伺服器引爆記憶體革命—HBM、DRAM 與NAND次世代技術與競爭版圖
        NO.1
        大綱
        NO.2
        大綱
        NO.3
        AI memory wall 讓 HBM 升級為決定算力效率的核心元件
        NO.4
        AI 資料中心需求推升 2026 年記憶體成為半導體成長主引擎
        NO.5
        記憶體產業市場表現                                   –  市場供需
        NO.6
        記憶體大廠DRAM HBM市場佔有率
        NO.7
        NAND記憶體大廠市場佔有率
        NO.8
        大綱
        NO.9
        HBM 核心價值: 3D 堆疊與高頻寬,挑戰:封裝、散熱與良率
        NO.10
        HBM4 已從 JEDEC 標準走向客戶主導客製化規格競賽
        NO.11
        記憶體大廠HBM技術比較
        NO.12
        HBM 主流封裝技術 : TC-NCF / MR-MUF
        NO.13
        HBM 封裝技術正從 TC-NCF / MR-MUF 逐步走向 HCB
        NO.14
        HBM4/4E 延續既有封裝,HBM5 邁向 HCB 世代轉折點
        NO.15
        大綱
        NO.16
        全球記憶體大廠DRAM製程 對照
        NO.17
        AI 數據爆炸使 DRAM 密度與速度升級壓力加速浮現
        NO.18
        記憶體技術演進 :
        NO.19
        記憶體技術演進 :
        NO.20
        記憶體技術演進 : 改變結構與整合方式
        NO.21
        記憶體技術演進 : 改變結構與整合方式
        NO.22
        大綱
        NO.23
        AI推論需求讓NAND從冷資料儲存
        NO.24
        推論成為SSD需求主引擎,2030 年 AI 儲存需求上看 ZB 等級
        NO.25
        NAND的AI機會: QLC降成本、3D NAND大容量與HBF 新架構
        NO.26
        NAND 的 AI 新契機:從傳統儲存走向推論支援
        NO.27
        大綱
        NO.28
        AI記憶體新秩序:效能、基礎和容量
        NO.29
        吳松輝 半導體研究部 研究經理
        NO.30

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