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        眺望2024系列|2024半導體設備產業發展趨勢
        2024 semiconductor equipment industry development trends
        • 2023/11/01
        • 3555
        • 239

        簡報大綱

        今年在全球高通膨、高利率、戰爭與中國大陸景氣不振下,影響機械與電子設備市場甚鉅,加上國際經貿局勢瞬息萬變,科技日新月異帶動多項新興產業迅速發展,致使產業與貿易間相互影響愈來愈大,貿易衝突與科技戰牽動全球供應鏈重整。我們觀察到含半導體設備在內的機械產業已有幾個動向:一、開始對低碳時代來臨作準備;二、將生產管理導入精實化及數位化,除了掌握核心技術,強化市場耕耘外,亦將人工智慧相關技術、環保節能融入商業模式中。

        • 半導體材料與市場趨勢
          • 漸趨多元:材料競技場中的半導體進化
          • 塑造未來科技:新興基板材料的前瞻應用
        • 成本與生產效率
          • 成本之謎:碳化矽在功率元件的關鍵角色
          • 高昂的代價:耗材對碳化矽基板的挑戰
        • 製程技術與檢測設備
          • 尺寸競賽:SiC晶圓的尺寸演進與影響
          • 快速非破壞性檢測晶圓的品質和均勻性
        • 技術創新與可持續發展
          • 雷射切片技術-SiC/GaN
          • SmartSiCTM技術 - 高效、綠色、可持續
          • 創新:為更好的性能和效率開闢新途徑
        • 結論

        簡報內容

        2024半導體設備產業發展趨勢
        NO.1
        Outline
        NO.2
        Outline
        NO.3
        市場和設備支出下滑,長期需求仍強勁
        NO.4
        漸趨多元:材料競技場中的半導體進化
        NO.5
        超寬能隙氧化鎵特性及其關鍵軍事應用
        NO.6
        塑造未來科技:新興基板材料的前瞻應用
        NO.7
        車用功率元件產業的需求與市場趨勢
        NO.8
        Outline
        NO.9
        車用功率元件製造設備技術與發展現況
        NO.10
        寬能矽半導體基板市售價格分布
        NO.11
        成本之謎:碳化矽在功率元件的關鍵角色
        NO.12
        高昂的代價:耗材對碳化矽基板的挑戰
        NO.13
        氧化鎵基板理論成本比較(非市價)
        NO.14
        Outline
        NO.15
        尺寸競賽:SiC晶圓的尺寸演進與影響
        NO.16
        氧化鎵主要技術領導廠商及合作領域
        NO.17
        半導體材料特性比較-基板加工挑戰
        NO.18
        超硬基板材料加工流程示意圖(碳化矽)
        NO.19
        碳化矽晶球複合式(X-Ray)加工設備
        NO.20
        工研院:碳化矽晶錠檢測設備
        NO.21
        產業競爭現況:IC製造、IC封裝之量檢測設備
        NO.22
        產業競爭現況:IC製造、IC封裝之量檢測設備
        NO.23
        晶片品質之隱憂:缺陷對元件劣化的衝擊
        NO.24
        功率元件非圖案化檢測設備市場趨勢
        NO.25
        非破壞碳化矽晶圓缺陷檢測技術
        NO.26
        快速非破壞性檢測晶圓的品質和均勻性
        NO.27
        檢測設備產業趨勢展望
        NO.28
        Outline
        NO.29
        切片技術關鍵-切片損耗(Kerf loss)最小化
        NO.30
        GaN單晶雷射切片技術
        NO.31
        GaN單晶雷射切片技術
        NO.32
        SmartSiCTM技術- 高效、綠色、可持續
        NO.33
        創新:為更好的性能和效率開闢新途徑
        NO.34
        突破垂直GaN 功率元件的關鍵技術
        NO.35
        零缺陷的SiC基板:DynamicAGE-ing®
        NO.36
        零缺陷的SiC基板:DynamicAGE-ing®
        NO.37
        8吋磊晶設備已在領導廠商產線應用
        NO.38
        Outline
        NO.39
        結論
        NO.40
        啟發與建議
        NO.41
        謝謝
        NO.42
        附件
        NO.43
        TESLA碳化矽元件減量使用75%議題
        NO.44

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