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寬能隙半導體製造設備的技術創新與發展趨勢 (研討會簡報)

Technological Innovations and Development Trends in Wide-Bandgap Semiconductor Manufacturing Equipment

2023/07/25
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呂建興

高科技設備與先進製程

簡報大綱

全球化合物半導體市場概況
寬能隙(Wide BandGap)半導體材料介紹
- 氮化鎵(GaN)應用與市場分析
- 碳化矽(SiC)應用與市場分析
- 氧化鎵(Ga2O3)應用與市場分析
新興製程技術介紹
- 關鍵化合物半導體基板加工技術發展
全球研發布局趨勢
結論

簡報內容

寬能隙半導體製造設備的 — NO.1

Outline — NO.2

全球化合物半導體市場概況 — NO.3

寬能隙半導體材料介紹 — NO.4

新興半導體基板市場：成長趨勢與前景 — NO.5

常見單晶生長方法 — NO.6

寬能矽半導體基板市售價格分布 — NO.7

N-type碳化矽基板單價變化趨勢 — NO.8

碳化矽基板製備原料的成本結構 — NO.9

氧化鎵基板理論成本比較(非市價) — NO.10

碳化矽(SiC)氮化鎵(GaN)應用與市場 — NO.11

氮化鎵磊晶基板製造(on Si) — NO.12

台灣砷化鎵三大代工廠布局領域 — NO.13

全球碳化矽基板市場供需情況 — NO.14

氧化鎵(Ga2O3)應用與市場分析 — NO.15

超寬能隙氧化鎵特性及其關鍵軍事應用 — NO.16

氧化鎵市場規模與趨勢變化 — NO.17

氧化鎵主要技術領導廠商及合作領域 — NO.18

關鍵寬能隙半導體基板加工技術發展 — NO.19

超硬基板材料加工流程示意圖(碳化矽) — NO.20

切片技術關鍵-切片損耗(Kerf loss)最小化 — NO.21

半導體材料特性比較-晶圓加工挑戰 — NO.22

雷射切片改善材料損耗，提高產出數量 — NO.23

離子佈植切割大幅提高晶片產出降低成本 — NO.24

SmartSiCTM技術 - 高效、綠色、可持續 — NO.25

創新:為更好的性能和效率開闢新途徑 — NO.26

關鍵加工技術-雷射/離子切割& 晶圓鍵合 — NO.27

創新的複合式拋光技術 — NO.28

零缺陷的SiC基板：DynamicAGE-ing® — NO.29

8吋磊晶設備已在領導廠商產線應用 — NO.30

檢測設備產業趨勢展望 — NO.31

全球研發布局趨勢 — NO.32

碳化矽相關企業和研究團隊持續專利布局 — NO.33

全球寬能矽半導體基板參與者 — NO.34

NO.35

NO.36

本文檔案寬能隙半導體製造設備的技術創新與發展趨勢 (研討會簡報).pdf137次

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