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        眺望2023系列|節能應用需求,開創半導體技術與策略發展新風貌
        The demand for energy saving and high performance creates new opportunities for the future of semiconductor manufacturing technology
        • 2022/11/02
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        • 198

        簡報大綱

        • 創新應用風起雲湧,引導出高運算力與消費電力的拉鋸課題
          • 次世代運算的未來-透過大規模模擬運算達到資訊處理的高速化與最適化
          • IoT產品高成長性應用以高運算力與非傳統IT產品的創新運用為重心
          • 運算力提升帶來功耗增加的現實-半導體未來發展課題
        • 提高運算力-2023年後半導體製造技術與廠商發展戰略
          • 晶圓代工廠商在3nm先進製程量產技術的激烈鏖戰
          • 記憶體廠商持續朝向高容量、高速存取等技術進行投資
          • 次世代運算所需記憶體特性-大容量、高速、省電
        • 降低消費電力-化合物半導體扮演降低能耗的關鍵角色
          • 高效節能創新應用-電動車動力模組變革以提升續航力
          • 電動車動力模組變革牽引SiC功率半導體發展
          • 2030年後功率元件技術新發展-備受期待的GaN化合物半導體
        • 結論

        簡報內容

        節能應用需求,開創半導體技術與策略發展新風貌
        NO.1
        大綱
        NO.2
        大綱
        NO.3
        次世代運算的未來
        NO.4
        IoT產品高成長性應用以高運算力與創新運用為重心
        NO.5
        GAFA業者規模持續擴張帶來晶片代工與技術提升的課題
        NO.6
        運算力提升帶來功耗增加的現實-半導體未來發展課題
        NO.7
        大綱
        NO.8
        2022年IC製造業資本投資視景氣波動調整
        NO.9
        3nm製程量產鏖戰-快vs.穩定
        NO.10
        晶圓代工3nm製程技術大作戰-台積電vs. Samsung
        NO.11
        Intel在先進製程力求突破,提升生產效率
        NO.12
        進入到3nm以後的課題-製程、材料有時還有設備…
        NO.13
        記憶體廠商持續朝向高容量、高速存取等技術進行投資
        NO.14
        下階段記憶體規格發展-From Samsung Tech Day
        NO.15
        下階段記憶體規格發展-車用記憶體
        NO.16
        3D NAND Flash技術協助實現高速且高可靠度存取裝置
        NO.17
        次世代運算所需記憶體特性-大容量、高速、省電
        NO.18
        大綱
        NO.19
        2022年化合物半導體廠商資本投資呈現成長趨勢,功率元件成為著墨重點
        NO.20
        高效節能創新應用-電動車動力模組變革提升續航力
        NO.21
        SiC化合物半導體廠商發展策略
        NO.22
        除了擴大基板尺寸外,SiC晶片產能倍增另一方向-Infineon’s cold split technology
        NO.23
        2030年後功率元件技術新發展-備受期待的GaN化合物半導體
        NO.24
        高品質與大尺寸Freestanding GaN substrate合成技術
        NO.25
        大綱
        NO.26
        結論
        NO.27
        劉美君 資深產業分析師半導體研究部 nancy_liu@itri.org.tw+886-3-5914442
        NO.28

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