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        FIEK360系列|從全球化合物半導體未來展望,探討台灣發展關鍵議題
        IEK360|Key Issues of Taiwan Compound Semiconductor Development in the Future
        • 2021/06/02
        • 1960
        • 388

        簡報大綱

        近年來,化合物半導體,因著諸多特性,如:高功率密度、耐高溫、與耐高壓等,使其在電動車、高頻無線通訊、與國防航太等應用市場帶動下,大幅吸引國際企業爭相投入布局,包括運用M&A、國際上下游供應鏈結盟、擴大資本支出以及增加研發預算、與提升產學合作能量。

        同時,美國、中國、日本、韓國、與歐盟等主要國家,相繼推動化合物半導體國家政策,主要推動策略如:日韓明確以「電力半導體」做為重要項目;如:SiC的產業發展,多以IDM模式同時向上下游供應鏈延伸做為經營策略之依歸;如:各國都以具有品牌車廠以及資通訊與電力電子大廠、在採購決策上給予該國境內上游半導體企業支撐並達到內循環的生態體系;此現象預期將在未來長期國際地緣政治的持續發酵之下,益形加增其影響力。

        臺灣產學研各界在化合物半導體的發展上,已有多年耕耘且初具成效,加以國際仰賴的矽基半導體生態體系的能量加持優勢,未來臺灣在全球化合物半導體競爭板塊之中,應如何定位、發展藍圖規畫、並與國際介接等、已是刻不容緩的重要議題。
         

        簡報內容

        從全球化合物半導體未來展望,探討台灣發展關鍵議題
        NO.1
        大綱
        NO.2
        電動車、5G基建、及快充對高功率低損耗元件需求將為寬能隙半導體成長引擎
        NO.3
        全球 SiC 基板及磊晶圓市場投入者眾
        NO.4
        II-VI (1/2)
        NO.5
        II-VI (2/2)
        NO.6
        SiCrystal (ROHM) (1/2)
        NO.7
        SiCrystal (ROHM) (2/2)
        NO.8
        CREE (1/2)
        NO.9
        CREE (2/2)
        NO.10
        大綱
        NO.11
        中國大力發展化合物半導體產業
        NO.12
        中國SiC產業發展,政府補貼伴要角
        NO.13
        化合物半導體納入日本推進6G重要藍圖
        NO.14
        南韓新一代電力半導體政策與推動方向
        NO.15
        美國國家安全委員會752頁報告Chapter 13點名投入GaN研發的重要性
        NO.16
        SIA新任董事成員突顯化合物半導體重要性
        NO.17
        結論
        NO.18
        謝謝
        NO.19

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