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三星電子近期在先進記憶體與晶圓代工兩大戰線皆有顯著進展。《韓國時報》引述消息報導，三星將於2月第三周正式向輝達出貨第四代高頻寬記憶體（HBM4），成為全球首家向客戶交付量產版HBM4的業者。另一方面，三星位於美國德州的價值370億美元晶圓廠已取得部分臨時營運核准，預計下半年開始為特斯拉量產AI5晶片。

據產業人士透露，三星已完成輝達對HBM4的資格驗證，並配合輝達新一代AI加速器平台「Vera Rubin」的時程，決定於農曆年後也就是2月第三周啟動正式出貨。

輝達預計在3月中旬舉行的GTC 2026大會上展示Vera Rubin平台，執行長黃仁勳日前也證實相關晶片已進入全面量產階段，市場預期該平台將於2026年下半年問世。

三星的HBM4採用第六代10奈米級DRAM製程（1c）打造記憶體晶粒，並以4奈米邏輯製程製作基礎晶粒，使得資料傳輸速度最高可達每秒11.7Gbps，明顯超越聯合電子元件工程委員會（JEDEC）所訂定的8Gbps標準，是三星能夠成功打入輝達供應鏈的關鍵。

隨著HBM成為AI運算不可或缺的核心元件，三星與主要競爭對手SK海力士在HBM4供應上的競爭勢將進一步升溫。研究機構Counterpoint最新資料顯示，去年第三季SK海力士在HBM市場仍握有57％市占率，高於三星的22％及美光的21％。

在晶圓代工方面，德州泰勒市政府證實三星已取得首座晶圓廠約8.8萬平方英尺的臨時使用證，可在全面完工前展開有限營運。該廠預計3月開始測試極紫外光（EUV）設備，為生產2奈米先進製程做準備，並於今年下半年全面量產。

根據規劃，泰勒廠量產後將依合約為特斯拉生產AI5晶片，合約效期至2033年，並涵蓋後續AI6世代。特斯拉執行長馬斯克近期表示，AI5晶片設計已接近完成，未來將以大約9個月為一代的節奏快速推進。