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記憶體大廠華邦（2344）積極強化製造量能，搶搭記憶體缺貨漲價商機，昨（15）日公告自今年5月9日到昨天為止，共斥資23.32億元向荷商艾司摩爾（ASML）採購機器設備，主要做為生產使用。

法人指出，受惠AI對記憶體需求強勁，華邦除受惠DRAM產品報價持續走揚，旗下SLC NAND晶片與編碼型快閃記憶體（NOR Flash）亦呈現溫和漲勢，助攻營運。

業界認為，傳統記憶體供不應求，驅動產業進入超級循環，預期明年DDR4、MLC NAND、NOR Flash市況持續向上，尤其DDR4合約價明年首季可望大漲超過一倍。

法人認為，華邦明年首季NOR Flash、SLC NAND合約價有望季增30％以上，主因三星、鎧俠縮減2D NAND產能，使MLC NAND晶片供應出現缺口，上調華邦2006年首季的Flash單位售價季增率預估至25％，遠超過前次預估的2％。

展望後市，華邦總經理陳沛銘先前指出，DRAM市場需求升溫，並非僅是景氣循環，而是源於結構性的改變，核心原因在國際三大DRAM製造商正積極轉向先進製程，例如12奈米及以下節點，然12奈米、11奈米，甚至13奈米、14奈米等精細製程節點，為彌補設計上的缺陷，都需要配置所謂的錯誤校正電路。

陳沛銘分析，根據JEDEC的DDR4標準，DDR4產品不允許包含ECC電路，這意味一旦三大廠轉進13奈米以下製程，將無法回頭生產DDR4，導致DDR4供應生產線大幅萎縮，市場上只剩下少數廠商，目前看來僅華邦及南亞科兩家公司持續供貨。

華邦昨天股價受大盤重挫拖累，終場下跌3.5元、收71.1元，跌幅4.69%，外資大賣逾10.8萬張。