- 《聯合報》,記者賴錦宏/綜合報導
- 2024/9/16 上午0:00
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中國大陸工業和信息化部(工信部)近日公布一項通知顯示,大陸已取得技術突破,研發出深紫外光曝光機(DUV),可生產八奈米及以下晶片,目前正在推廣應用。
中美近年掀起科技戰,美國積極防止大陸取得先進晶片製造設備,但圍堵成效未見討論,有消息顯示大陸已在相關技術取得重要突破,引起科技圈關注。
大陸工信部官網九日公布「首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(二○二四年版)」通知,下發地方要求加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的協同。工信部稱,重大技術裝備是國之重器,事關綜合國力和國家安全。「首台(套)重大技術裝備」是指國內實現重大技術突破、擁有智慧財產權、尚未取得明顯市場業績的裝備產品,包括整機設備、核心系統和關鍵零組件等。
未提及製造良率
這份目錄顯示,在積體電路生產裝備,其中一項是「氟化氬光刻機」(DUV曝光機),核心技術指標為:「晶圓直徑三○○公釐,照明波長二四八奈米,分辨率小於等於六十五奈米,套刻小於等於八奈米」。這也代表,這台大陸國產DUV曝光機可生產八奈米及以下晶片。至於國產DUV曝光機的(製造)良率則未有提及。
大陸科技媒體「科學科技說」轉發上述內容稱,大陸自己的DUV曝光機終於來了,雖與晶片製造設備龍頭艾司摩爾(ASML)曝光機存在代差,至少已填補空白,可控可用,期待之後能研發出更先進的極紫外光曝光機(EUV)。
陸獲策略主動權
報導指出,這次突破主要集中在廿八奈米節點,這一節點在半導體製造上具有舉足輕重地位。這項突破的意義不僅在於技術層面的進步,更在於它為大陸帶來策略上的主動權。這意味著在未來面對外在挑戰時,大陸將能夠更從容地應對並保持自身的獨立性和自主性。
美國本月初才收緊製造先進半導體設備所需機器的出口管制,荷蘭政府隔天跟進,擴大限制半導體製造設備出口。路透報導,ASML的1970i和1980i深紫外光曝光機(DUV)輸出大陸會受到影響,兩款機型大約是ASML所屬DUV產品線的中階位置。有分析指,大陸若實現國產八奈米及以下製程DUV,未來絕大多數晶片製造將不用受制於ASML。
僅落後台積三年
此外,日經中文網上月底報導,日本半導體調查企業TechanaLye社長清水洋治表示,儘管良率上仍存有差異,但是大陸晶片的技術實力,目前僅落後台積電三年的水準。他是在比較台積電二○二一年量產的五奈米「KIRIN 9000」及二○二四年中芯國際量產的七奈米「KIRIN 9010」後作出這項結論。
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