- 中央社,
- 2024/9/7 上午6:53
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(中央社記者張建中台北2024年9月6日電)艾司摩爾的EUV設備為半導體先進製程的關鍵設備,卻有高耗電疑慮。艾司摩爾強調,EUV技術可簡化製程工序,有助降低生產晶圓的用電量,估計2029年使用ASML微影技術生產晶圓每使用100度電,將為整體製程節省200度電。
艾司摩爾(ASML)今天分享新一代高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)微影技術,表示透過採用新的光學元件,將數值孔徑從0.33提升至0.55,將提供更高的成像解析度,讓晶片製造商可以在同樣單位面積的晶片上實現較現今高出2.9倍的電晶體密度;且成像對比度較EUV提高40%,可大幅降低成像缺陷。
艾司摩爾High NA EUV產品管理副總裁史托姆斯(Greet Storms)說,客戶透過導入High NA EUV,將可減少量產邏輯和記憶體晶片的製造工序,降低製程缺陷、成本和生產週期。High NA EUV將與EUV在設計方面有通用性,可降低客戶的導入風險和研發成本。
艾司摩爾High NA EUV微影系統已於去年底開始陸續出貨,每小時可曝光超過185片晶圓,將支援2奈米以下邏輯晶片及具有相似電晶體密度的記憶體晶片量產。
史托姆斯說,ASML現在所有客戶未來也會是High NA EUV的客戶,並已下訂單,ASML將與客戶緊密合作,預計2026年會邁向量產。
針對外界對於能耗的疑慮,艾司摩爾指出,先進製程晶片製造導入EUV技術可簡化製程工序、減少光罩數量,達到產能和良率提升,並進而降低生產晶圓的用電量。
據估計,至2029年在先進製程中導入艾司摩爾EUV和High NA EUV微影系統,生產晶圓每使用100度電,將可為整體製程節省200度電。
艾司摩爾強調,不斷致力透過研發創新降低能源消耗,並透過與客戶密切合作,在提高生產力的同時,減少製造每片晶圓所產生的能耗。自2018年至2023年,EUV曝光每片晶圓的能耗減少近40%,預計2025年再減少能耗約30%至35%。(編輯:張良知)
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