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逆向加碼？韓國三星電子繼日前宣布在韓國平澤二廠（P2）擴建極紫外光（EUV）晶圓代工生產線（10兆韓元）後，1日再宣布，將以8兆韓元在該廠擴大3D NAND記憶體產能，加上市場推估三星可能再加碼DRAM投資15兆韓元，這一波景氣危機，三星合計可能加碼33兆韓元（約新台幣8千億元）大投資。

由於三星的半導體策略一向是在景氣低迷時擴大投資，業界認為，三星近期可能會再宣布在P2廠DRAM產能追加投資計畫。

新冠肺炎疫情及中美貿易戰導致市場不確定性大增，三星一如過往選擇在景氣低迷時大舉投資，以確保在晶圓代工及記憶體市場的競爭力。

據外電報導，三星1日宣布將擴建平澤二廠的3D NAND生產線，5月已開始進行無塵室施工，預計2021年下半年進入量產，與同樣位於平澤二廠的晶圓代工EUV生產線一起啟用。

三星雖然沒有公布此次擴建3D NAND產能的投資金額，但業界預估大約投入約8兆韓元（約65億美元），將可增加每月2萬片的12吋晶圓產能，明年下半年會量產三星最先進的100層以上3D NAND產品，預估第一批投產的產品會是第六代V-NAND。

記憶體模組業者指出，美國總統大選年底結束，新冠肺炎疫情明年應會明顯緩和，所以記憶體市場明年將會是多頭年，包括資料中心、筆電及平板、智慧型手機等搭載容量將大幅提高，其中，筆電及智慧型手機搭載512GB及1TB儲存容量將成市場主流。

三星現在啟動擴產計畫，明年下半年進入量產，正好可趕上下一波NAND Flash需求爆發時間點。

三星NAND Flash生產線主要分布在韓國華城廠區、平澤廠區、以及中國西安廠區。

其中，中國西安廠二期及平澤二廠已積極擴建無塵室及增建生產線，其中西安廠二期將用於投產100層以下3D NAND的第五代V-NAND，平澤二廠則會生產100層以上3D NAND的第六代V-NAND。

三星平澤二廠是綜合型晶圓廠，一層樓規畫建置EUV晶圓代工及3D NAND生產線，另一層樓則追加DRAM生產線。

在三星宣布5奈米EUV晶圓代工及3D NAND產能擴建計畫後，業界認為三星應很快會宣布DRAM產能擴建計畫（金額推估將達15兆韓元），同樣在明年下半年量產。