- 工商時報,涂志豪/台北報導
- 2020/6/2 上午5:30
- 412
逆向加碼?韓國三星電子繼日前宣布在韓國平澤二廠(P2)擴建極紫外光(EUV)晶圓代工生產線(10兆韓元)後,1日再宣布,將以8兆韓元在該廠擴大3D NAND記憶體產能,加上市場推估三星可能再加碼DRAM投資15兆韓元,這一波景氣危機,三星合計可能加碼33兆韓元(約新台幣8千億元)大投資。
由於三星的半導體策略一向是在景氣低迷時擴大投資,業界認為,三星近期可能會再宣布在P2廠DRAM產能追加投資計畫。
新冠肺炎疫情及中美貿易戰導致市場不確定性大增,三星一如過往選擇在景氣低迷時大舉投資,以確保在晶圓代工及記憶體市場的競爭力。
據外電報導,三星1日宣布將擴建平澤二廠的3D NAND生產線,5月已開始進行無塵室施工,預計2021年下半年進入量產,與同樣位於平澤二廠的晶圓代工EUV生產線一起啟用。
三星雖然沒有公布此次擴建3D NAND產能的投資金額,但業界預估大約投入約8兆韓元(約65億美元),將可增加每月2萬片的12吋晶圓產能,明年下半年會量產三星最先進的100層以上3D NAND產品,預估第一批投產的產品會是第六代V-NAND。
記憶體模組業者指出,美國總統大選年底結束,新冠肺炎疫情明年應會明顯緩和,所以記憶體市場明年將會是多頭年,包括資料中心、筆電及平板、智慧型手機等搭載容量將大幅提高,其中,筆電及智慧型手機搭載512GB及1TB儲存容量將成市場主流。
三星現在啟動擴產計畫,明年下半年進入量產,正好可趕上下一波NAND Flash需求爆發時間點。
三星NAND Flash生產線主要分布在韓國華城廠區、平澤廠區、以及中國西安廠區。
其中,中國西安廠二期及平澤二廠已積極擴建無塵室及增建生產線,其中西安廠二期將用於投產100層以下3D NAND的第五代V-NAND,平澤二廠則會生產100層以上3D NAND的第六代V-NAND。
三星平澤二廠是綜合型晶圓廠,一層樓規畫建置EUV晶圓代工及3D NAND生產線,另一層樓則追加DRAM生產線。
在三星宣布5奈米EUV晶圓代工及3D NAND產能擴建計畫後,業界認為三星應很快會宣布DRAM產能擴建計畫(金額推估將達15兆韓元),同樣在明年下半年量產。
更多新聞
- 2025 SEMICON Taiwan 9月8日登場
- 攻頂 閎康+17% 汎銓+2%
- M31營收 18個月高點
- 美國管制先進AI晶片輸中 三星Q2獲利暴跌56%
- 創新回收再製全循環 強方科技為工業廢硫酸提解方
- IC設計廠 營收不同調
- DDR4將退場 四大廠齊喊卡
- 輝達B200缺貨 擴產仍不夠
- 氣候威脅銅礦供應 擾亂晶片生產
- 台積大聯盟要角 下修展望