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SEMI（國際半導體產業協會）公布北美半導體設備出貨報告，2021年1月份設備製造商出貨金額達30.402億美元，創下歷史新高紀錄。由於半導體市場需求暢旺且產能供不應求，晶圓代工廠及IDM廠的邏輯製程產能訂單滿到下半年，DRAM及NAND Flash價格止跌回升帶動記憶體廠加快新製程量產，預期今年全球半導體設備投資將創下歷史新高。

根據SEMI統計，2021年1月北美半導體設備製造商出貨金額首度突破30億美元大關、來到30.402億美元歷史新高，較2020年12月的26.808億美元成長13.4％，與2020年1月的23.402億美元相較成長29.9％。

SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示，北美半導體設備1月的出貨金額創下歷史新高，是今年好的開始，說明了數位轉型加速推動對半導體設備強勁而持久的需求。

全球半導體廠今年資本支出預期將創新高，對半導體設備採購金額也將創下歷史新高，法人看好資本支出概念股直接受惠，包括漢唐、帆宣、信紘科等廠務工程業者今年在手訂單續創新高，設備及備品供應商京鼎、弘塑、意德士等同步受惠且接單暢旺，對今年展望抱持樂觀看法。

另外，今年半導體產能供不應求，包括台積電、三星、SK海力士、英特爾等今年均將擴大極紫外光（EUV）產能建置，EUV產能會持續放大，法人亦看好極紫外光光罩盒（EUV Pod）供應商家登、EUV設備代工廠帆宣、EUV機台精密零件廠公準等業者今年營運，訂單能見度已看到下半年。

由製程推進來看，晶圓代工廠今年資本支出重頭戲除了擴大EUV產能因應客戶強勁需求，邏輯製程也將開始由5奈米推進至3奈米，台積電預期下半年3奈米開始試產，明年就可進入量產階段。至於IDM龍頭大廠英特爾已加快自有產能建置，10奈米產能進入量產，7奈米研發加速進行，並會在7奈米製程開始導入EUV技術。

在記憶體廠部份，DRAM廠今年加速由1z奈米跨入1a奈米，包括三星、SK海力士已經開始採用EUV微影技術生產DRAM，且產品線則開始轉進DDR5及LPDDR5。至於NAND Flash廠今年投資重點鎖定在3D NAND堆疊層數升級，預估170層以上3D NAND可在今年導人量產，研發則開始朝向200層邁進。