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中美晶片戰愈演愈烈下，中國正試圖透過專利戰作為談判籌碼。外媒披露，中國3D NAND Flash大廠長江存儲（YMTC）近日在美國加州，再度對美國記憶體大廠美光（Micron）提起訴訟，指控美光侵犯其涉及3D NAND Flash及DRAM產品的11項專利。長江存儲要求法院勒令美光停止在美國銷售侵權的記憶體產品，同時支付專利使用費。

綜合外媒20日報導，2016年底在武漢成立的長江存儲是中國記憶體（DRAM）與快閃記憶體（NAND Flash）製造大廠，獲得「大基金」巨資支持，成為中國打造本土晶片供應鏈代表性企業。但美國商務部在2022年10月將長江存儲列入實體清單，使得其無法從美國企業獲得先進設備來製造128層及以上的3D NAND晶片。

在遭到美方出口管制前，長江存儲的128層3D NAND 晶片產品已經打入蘋果供應鏈，並獲得蘋果的技術和品質認證。當時蘋果希望採用其晶片，除了成本考量，也防止快閃記憶體過度集中在三星、SK海力士、美光手上。

報導稱，長江存儲本次指控表示，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND Flash，以及一些DDR5 SDRAM產品（Y2BM系列），侵犯長江存儲在美國提交的11項專利或專利申請。

值得一提的是，去年11月，長江存儲還在美國加州北區地方法院對美光及其子公司提起訴訟，指控它們侵犯其8項與3D NAND Flash相關的美國專利。另外，今年6月7日，長江存儲還在美國加州提起訴訟，指控受到美光資助的丹麥諮詢公司Strand Consult散布虛假訊息，破壞長江存儲的市場聲譽和商業關係。

市場人士表示，近年中國科技實力大幅提升，企業並積極在海內外申請專利，而且在中國政府支持下，也開始頻打專利權官司，去年中國法院就收到5,062件技術類智財權和壟斷案。長江存儲試圖通過專利反擊美光，應是藉此獲取對抗美國政府打壓的籌碼，而非是告倒對方或藉此拿錢，「止戰」才是真正目的。