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工研院新興記憶體研究登國際舞台 IEDM發表6論文

2019/12/10 上午11:28中央社,

    (中央社記者張建中新竹2019年12月9日電)工研院新興記憶體研究成果登上國際舞台,在IEEE國際電子元件會議(IEDM)一口氣發表6篇鐵電記憶體(FRAM)及磁阻隨機存取記憶體(MRAM)相關技術論文。

    工研院指出,FRAM因操作功耗極低,適用於物聯網與可攜式裝置;MRAM則是速度快、可靠性高,適用於自駕車與雲端資料中心。

    工研院發表的「使用應力工程氧化鉿鋯之三維、可微縮、高可靠度鐵電記憶體技術」論文,以半導體製程中易取得的氧化鉿鋯鐵電材料替代現有的鈣鈦礦晶體材料,將元件由二維平面推展至三維立體結構,並具應.....

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