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AI三巨頭強強連手，市場傳出，SK海力士將於9月台灣國際半導體展（Semicon Taiwan）時宣布與台積電、輝達更緊密的合作計劃，並聚焦下一代高頻寬記憶體（HBM）技術的開發，進一步掌握AI伺服器關鍵零組件。

Semicon Taiwan將於9月4日至6日召開，據消息指出，SK海力士社長金柱善將來台參加並首次發表專題演講。

金柱善抵台後將與台積電高層會面，外傳輝達執行長黃仁勳有機會自美國專程來台，加入此次會談，進一步鞏固三方聯盟關係，建構AI半導體產業重要鐵三角。

三方合作核心將圍繞在HBM上，過往包括HBM3E（第五代HBM產品）都是基於SK海力士自身製程製造基礎裸片（base die），不過科技業者透露，HBM4將會開始採用台積電的先進邏輯（Logic）製程，以超細微製程之base die可以增加更多的功能，SK海力士也能在性能和功效等方面，滿足客戶的客製化（Customized）需求。

法人指出，雙方合作開發並生產HBM4，目標訂於2026年實現量產。其中，將以12FFC+（12nm級）及5奈米製程製造HBM4介面晶片，以實現更微小的互連間距，提升AI和高效能運算（HPC）處理器的記憶體性能。

另外，根據SK海力士的產品路線圖規劃，預計在2025下半年推出12層堆疊的HBM4、2026年推出16層堆疊，進一步提升功耗及資料傳輸速度，台積電也持續加強及擴大CoWoS-L和CoWoS-R等封裝技術產能，以支援HBM4的大規模量產。

SK海力士一直是輝達AI GPU高頻寬記憶體的獨家供應商，搭配2026年輝達計劃推出的Rubin系列，外界預估將正式採用HBM4 12Hi with 8 clusters for 1 GPU，三巨頭聯盟正在擴大其影響力，並拉大與三星的差距。

三星在先進製程晶圓代工市場已落後於台積電，如今在記憶體晶片領域同步面臨壓力。儘管三星正在加快HBM研發步伐，但在先進邏輯製程方面的劣勢可能迫使其重新考慮戰略，甚至加強尋求與其他公司合作的可能性。