HEV/EV寬能隙功率元件應用
Wide Band Gap Power Electronics in HEV/EV Application
- 2018/12/12
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寬能隙碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)功率元件(註)因材料本身特性，可適用於電動車輛(HEV，Hybrid Electric Vehicle/EV，Electric Vehicle)內不同終端系統應用。SiC因其優異熱傳導能力，可適用於大電流、高功率需求的馬達驅動逆變器和前端升壓轉換器及下一世代超快速直流充電設備；而GaN則具有在高頻操作較低能量損失等特性，可減少被動元件使用進而減少系統體積，適用於DC/DC降壓轉換器及車載充電器使用。目前領導廠商陸續推出SiC MOSFET或模組，並瞄準2020/2021年為進入電動車量產應用的里程碑，預計至2025年寬能隙功率元件應用於HEV/EV市場規模可達14億美元。
【內容大綱】
- 一、 寬能隙功率元件於HEV/EV應用
- 二、寬能隙功率元件於HEV/EV市場規模
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三、寬能隙功率元件全球供應鏈及大廠動態
- (一) 全球供應鏈現況
- (二) 大廠動態
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【圖表大綱】
- 表1：Si/SiC/GaN功率元件於電動車內不同終端應用規格與效率比較
- 圖1：寬能隙功率元件適用於HEV/EV終端應用
- 圖2：寬能隙功率元件於HEV/EV市場規模
- 圖3：GaN功率元件全球供應鏈
- 圖4：SiC功率元件全球供應鏈
- 圖5：Wolfspeed 900V SiC MOSFET應用於Ford馬達驅動逆變器