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        ALD製程用材料與產業未來需求探討
        Discussions on the Materials of ALD Process Technology and Future Demands of Industry
        • 2021/09/10
        • 248
        • 19

        利用原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)技術成長的薄膜具有多項優點可適用於先進的半導體製程,主要應用為沉積邏輯晶片中電晶體的閘極介電層以及DRAM的溝槽式電容,閘極介電層多使用Hf系的High-k材料,主要為避免因元件微縮而產生的漏電流,而電容絕緣層則會使用Zr系的High-k材料,目的為增加電荷的儲存量。

        由於DRAM電容和FinFET結構深寬比的改變,加上DRAM開始導入High-k閘極介電層的技術,閘極用以及電容用High-k材料的市場都有擴大的趨勢。閘極用High-k材料的主要供應商為Entegris和Air Liquide,台灣為最大的販售市場;電容用High-k材料的主要供應商則有ADEKA, Air Liquide和TCLC/SK Tri Chem,主要銷往韓國。

        【內容大綱】

        • 一、前言
        • 二、原子層沉積製程簡介
        • 三、前驅物材料種類
        • 四、High-k材料主要供應商現況及未來動向
          • (一) Entegris(美國)
          • (二) Air Liquide(法國)
          • (三) ADEKA(日本)
          • (四) Tri Chemical Laboratories(日本)/SK Tri Chem(韓國)
        • 五、High-k材料全球市場
          • (一) 用於電晶體閘極介電層的High-k材料
          • (二) 用於DRAM電容的High-k材料
        • IEKView
         

        【圖表大綱】

        • 表一、ALD, CVD, PVD技術比較表
        • 圖一、利用ALD製程沉積ZnO薄膜說明圖
        • 圖二、ALD常見的金屬化合物前驅物
        • 表二、ALD之沉積薄膜材料
        • 圖三、High-k閘極介電層示意圖
        • 圖四、(1) ZAZ-MIM電容結構;(2) DRAM結構示意圖
        • 圖五、High-k材料各應用之銷售量分析(2019)
        • 圖六、閘極用High-k材料販售市場地域分析(2019)
        • 圖七、電容用High-k材料販售市場地域分析(2019)

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