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        眺望2017系列|下世代半導體製造技術與創新產品探索
        • 2016/11/07
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        簡報大綱

        • 下世代記憶體的發展-STT-MRAM與3D XPoint
        • 光互連技術的焦點-矽光子
        • 新半導體製程平台-FDSOI
        • 結論

        簡報內容

        下世代半導體製造技術與創新產品探索
        NO.1
        2016年全球半導體製造優於整體產業
        NO.2
        全球半導體元件市場發展趨勢
        NO.3
        大綱
        NO.4
        (無標題)
        NO.5
        全球DRAM與NAND的市場發展趨勢
        NO.6
        STT-MRAM與3D XPoint
        NO.7
        展望2020年記憶體的發展
        NO.8
        小結:“下世代”記憶體成為現在進行式
        NO.9
        (無標題)
        NO.10
        全球Optoelectronics的市場發展趨勢
        NO.11
        異質整合的光互連技術-矽光子
        NO.12
        預期資料中心帶動矽光子技術
        NO.13
        矽光子技術主要發展廠商
        NO.14
        小結:高度整合矽光子晶片提供高效能傳輸,突破電的傳輸限制
        NO.15
        (無標題)
        NO.16
        全球Foundry營收與資本支出發展趨勢
        NO.17
        2016年全球Foundry區域產能分布發展
        NO.18
        先進製程為主成長動能,成熟製程差異化關鍵
        NO.19
        28奈米成為製程技術的主流與差異化的關鍵
        NO.20
        SOI技術的主要發展廠商
        NO.21
        FDSOI的吸引力?
        NO.22
        小結:Beyond CMOS結構與材料逐一改變
        NO.23
        大綱
        NO.24
        半導體晶片是新興應用的共同基石
        NO.25
        新應用驅動技術發展
        NO.26
        (無標題)
        NO.27

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