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　受到三大DRAM廠持續調整產品組合影響，標準型DRAM第3季以來供不應求且現貨價持續上漲，不僅帶動10月份合約價大幅飆漲20～25％，缺貨情況看來將延續到明年。

　市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMexchange最新研究顯示，繼第4季4GB DDR3/DDR4模組合約均價較上季大漲3成後，明年第1季將再漲15％。

　受惠於DRAM合約價持續上漲，法人看好漲價效益將持續到年底，包括南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）、創見（2451）等業者將直接受惠外，因為DRAM漲價行情已延燒到利基型DRAM市場，法人亦看好晶豪科（3006）、愛普（6531）、鈺創（5351）等業者第4季營運表現。

　10月DRAM合約價出現飆漲行情，主流的4GB DDR3/DDR4模組合約均價由14.5美元漲至17.5美元，單月漲幅20.7％，11月合約價雖仍在協商中，但預期將衝上18～19美元間。

　集邦指出，第3季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來於第4季停產，但第3季的備貨仍有效去化DRAM產能及推升價格上漲，加上筆電搭載高容量8GB DRAM比重持續增加，第4季標準型DRAM合約價季漲幅將逾30％。

　展望2017年第1季，受惠於農曆新年備貨需求，及買方普遍認同供貨吃緊仍將持續，標準型4GB DDR3/DDR4模組均價將往20美元邁進，預估季漲幅約15％。其他如伺服器DRAM、行動式與利基型DRAM等產品價格預估也將同步攀升，呈現淡季不淡的格局。

　DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，由於DRAM供給端的寡占型態已經成熟，且製程在轉進20奈米後，位元成長有限，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠短期內沒有新增產能的計畫，新製程轉進進度也有放緩的趨勢，預估供貨將持續吃緊。

　吳雅婷指出，目前DRAM買賣雙方正陸續議定2017年第1季的DRAM價格，價格走勢確定持續攀升，而合約市場4GB模組價將站上20美元大關，與現貨價格的價差正逐步收斂。