力旺記憶體IP 華邦電DRAM製程平台採用
- 中央社,
- 2019/6/25 下午3:34
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(中央社記者張建中新竹2019年6月25日電)矽智財(IP)廠力旺(3529)今天宣布,旗下一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse成功導入記憶體製造廠華邦電(2344)的25奈米動態隨機存取記憶體(DRAM)製程平台。
力旺表示,NeoFuse能使DRAM產品達到多次修補的目標,在封裝前的晶片測試及封裝後的產品測試都可進行修補。
與傳統雷射調校相比,力旺指出,NeoFuse不僅有助降低調校成本與縮短時間,並使製造測試流程更便利。尤其晶片封裝後仍可進行修補,將大幅提升多晶片封裝產品的生產良率。
力旺表示,與華邦電的合作,除現階段在25奈米DRAM製程,雙方還進一步進行NeoFuse在二代DRAM製程的開發計畫,將有助華邦電在車用、工業與5G等新市場應用取得先機。
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